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J-GLOBAL ID：201902261814777703   整理番号：19A1455064

Oイオンビームを用いた中間原子層堆積Al_2O_3層による室温GaN-Si結合【JST・京大機械翻訳】

Room Temperature GaN-Si Bonding via an Intermediate Atomic-Layer-Deposition Al₂O₃ Layer by Using O Ion Beam

著者 (8件)： Wang Xinhua (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, PR China) ,  Zhu Shengli (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, PR China) ,  Jiao Binbin (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, PR China) ,  Huang Sen (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, PR China) ,  Wei Ke (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, PR China) ,  Yin Haibo (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, PR China) ,  Fan Jie (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, PR China) ,  Liu Xinyu (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, PR China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： LTB-3D  ページ： 13  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Oプラズマを用いて中間原子層蒸着Al_2O_3層により室温GaN-Si結合を行った。80%の接合面積比を4インチウエハで達成した。接合面積は識別可能な亀裂やボイドなしで均一で,ウエハスクライバーからの切削力に耐えることができる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： プラズマ ,  切削抵抗 ,  *窒化ガリウム ,  *イオンビーム ,  亀裂

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオンビーム ,  原子層堆積 ,  室温 ,  GaN ,  Si