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J-GLOBAL ID：201902261855209875   整理番号：19A2686134

GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発性メモリのスイッチング特性

Switching characteristics of nonvolatile memory using GaN/AlN resonant tunneling diodes

著者 (3件)： NAGASE Masanori (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TAKAHASHI Tokio (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SHIMIZU Mitsuaki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 9  ページ： 091001.1-091001.6  発行年： 2019年09月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN/AlN共鳴トンネルダイオード(RTD)を用いた不揮発性メモリ動作を研究し,それらの動作機構と動作速度を明らかにした。パルス幅がミリ秒からナノ秒オーダーのパルス電圧シーケンスを入力することにより,ON-OFFスイッチング特性を調べた。約30のオン/オフ電流比はパルス幅にほとんど依存しなかった。オン状態からオフ状態へのスイッチング時間は,指数曲線を用いた抵抗率変化による電流の大きな減少にフィッティングすることにより,約10nsと推定された。これらの結果は,GaN/AlNRTDを用いた不揮発性メモリ動作が量子井戸中のサブバンド間遷移と電子蓄積によって引き起こされることを支持した。また,ピコ秒時間スケールで動作する高速不揮発性メモリを,GaN/AlN RTDの接触抵抗と容量の低減により実現できることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *窒化アルミニウム ,  *共鳴トンネルダイオード ,  *不揮発性メモリ ,  *回路特性 ,  速度 ,  比率 ,  パルス幅 ,  電気抵抗率 ,  量子井戸 ,  電子遷移
準シソーラス用語： GaN ,  AlN ,  *スイッチング特性 ,  動作速度 ,  オンオフ比 ,  サブバンド間遷移

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  AlN ,  共鳴トンネルダイオード ,  不揮発性メモリ ,  スイッチング特性