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J-GLOBAL ID：201902261866791028   整理番号：19A1452073

非ドープGaSb量子井戸における電場誘起二次元正孔ガス【JST・京大機械翻訳】

Electric-field-induced two-dimensional hole gas in undoped GaSb quantum wells

著者 (12件)： Shibata K. (Solid State Physics Laboratory, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland) ,  Karalic M. (Solid State Physics Laboratory, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland) ,  Mittag C. (Solid State Physics Laboratory, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland) ,  Tschirky T. (Solid State Physics Laboratory, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland) ,  Reichl C. (Solid State Physics Laboratory, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland) ,  Ito H. (Tohoku Institute of Technology, Sendai 982-8577, Japan) ,  Hashimoto K. (Graduate School of Science, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Tomimatsu T. (Graduate School of Science, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Hirayama Y. (Graduate School of Science, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Wegscheider W. (Solid State Physics Laboratory, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland) ,  Ihn T. (Solid State Physics Laboratory, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland) ,  Ensslin K. (Solid State Physics Laboratory, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 114  号： 23  ページ： 232102-232102-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非ドープGaSb/AlSb量子井戸中の電気的に誘起された二次元正孔ガスにおける正孔輸送を測定した。GaSb量子井戸における電気的に誘起された二次元正孔ガスにアクセスするために,凹形のOhm接触を形成し,低温磁気抵抗をゲートで定義されたHall棒形状に対して測定した。試料の移動度は正孔密度の増加と共に増加し,8nm厚GaSb量子井戸に対して5.3×10~11cm-2の正孔密度で20000cm~2/Vsに達した。縦およびHall抵抗率はそれぞれShubnikov-de Haas振動および整数量子Hallプラトーを示した。これらの結果は,この材料の強いスピン-軌道相互作用を用いてスピンベースのエレクトロニクスを実現するためのプラットフォームを確立し,InAs/GaSb二重量子井戸構造で実現された二次元トポロジー絶縁体の輸送特性の理解にも有用である。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 低温 ,  スピン-軌道相互作用 ,  移動度 ,  *量子井戸 ,  ヒ化インジウム ,  *二次元 ,  Ohm接触 ,  *ドーピング ,  *アンチモン化ガリウム ,  磁気抵抗 ,  電子技術 ,  *電場
準シソーラス用語： 正孔密度 ,  正孔輸送 ,  *二次元正孔ガス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  GaSb ,  量子井戸 ,  電場 ,  誘起 ,  二次元正孔ガス