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J-GLOBAL ID：201902261948047696   整理番号：19A2380277

全炭化ケイ素電力モジュールのスイッチング過渡特性および損失研究【JST・京大機械翻訳】

Research on Switching Transient Performance and Loss of All Silicon Carbide Power Module

著者 (5件)： Xu Wenkai (海軍工程大学艦船綜合電力技術国防科技重点実験室,湖北武漢,430033) ,  Zhu Junjie (海軍工程大学艦船綜合電力技術国防科技重点実験室,湖北武漢,430033) ,  Nie Ziling (海軍工程大学艦船綜合電力技術国防科技重点実験室,湖北武漢,430033) ,  Han Yi (海軍工程大学艦船綜合電力技術国防科技重点実験室,湖北武漢,430033) ,  Sun Jun (海軍工程大学艦船綜合電力技術国防科技重点実験室,湖北武漢,430033)
資料名： Dianji yu Kongzhi Yingyong  (Dianji yu Kongzhi Yingyong)
巻： 46  号： 5  ページ： 100-106,119  発行年： 2019年 
JST資料番号： C4159A  ISSN： 1673-6540  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 全炭化ケイ素電力モジュールの実際の工学応用を加速させるために、全炭化ケイ素モジュールの開通遮断過程における電圧電流の変化率、ゲート電圧結合、開通損失とオフ損失に対して分析を行い、従来のIGBTパワーモジュールと対比分析を行った。全炭化ケイ素電力モジュールの二重パルス試験に基づき、異なる電圧電流レベルにおけるスイッチング過渡特性とスイッチング損失を研究し、試験パラメータを抽出し、電圧電流応力の大きさを得て、全炭化ケイ素パワーモジュールの工程応用に有効な参考を提供した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング損失 ,  電流 ,  *炭化ケイ素 ,  IGBT ,  パルス ,  電圧
準シソーラス用語： 比較分析 ,  ゲート電圧 ,  遮断 ,  *スイッチング過渡現象 ,  *パワーモジュール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 炭化ケイ素 ,  電力モジュール ,  スイッチング ,  過渡特性 ,  損失 ,  研究