文献

J-GLOBAL ID：201902262178175746   整理番号：19A1414646

シリコンナノワイヤマイクロ熱電発電機で観測された異常なSEebeck係数【JST・京大機械翻訳】

Anomalous Seebeck coefficient observed in silicon nanowire micro thermoelectric generator

著者 (9件)： Hashimoto S. (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Asada S. (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Xu T. (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Oba S. (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Himeda Y. (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Yamato R. (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Matsukawa T. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Matsuki T. (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Watanabe T. (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 2  ページ： 023105-023105-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型Siナノワイヤマイクロ熱電発電機(μTEG)の異常な熱電特性を実験的に見出した。電子線リソグラフィーとドライエッチングによりシリコン-オン-絶縁体ウエハ上にμTEGを作製し,その表面を熱成長二酸化ケイ素膜で被覆した。観測された熱電電流はn型SiのSeebeck係数から期待されるものと反対であった。この結果はナノワイヤのポテンシャル障壁を考慮することにより理解できる。ナノワイヤを横切る温度勾配の適用により,ポテンシャル障壁は熱的に活性化された多数キャリアのナノワイヤへの拡散を妨げ,それは熱的に発生した少数キャリアの注入をむしろ刺激する。ポテンシャル障壁の最も妥当な起源はSiナノワイヤと酸化膜の間の界面に捕獲された負電荷である。著者らは,n型Siナノワイヤの正常Seebeck係数が水素形成ガスアニーリング後に回復することを実際に確認した。これは,界面トラップが結合欠陥の水素終端により減少することを意味する。本結果は,少数キャリアの潜在的障壁と好ましくない寄与を抑制するためにμTEGsの表面不活性化処理の重要性を示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  ポテンシャル障壁 ,  界面 ,  酸化膜 ,  *ナノワイヤ ,  少数キャリア ,  ドライエッチング ,  絶縁体 ,  ケイ素 ,  負電荷 ,  温度勾配 ,  水素終端 ,  界面トラップ ,  *Seebeck係数 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： *熱電発電機 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱電発電機 ,  観測 ,  Seebeck係数