Hashimoto S. について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan について
Asada S. について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan について
Himeda Y. について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan について
Yamato R. について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan について
Matsukawa T. について
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan について
Matsuki T. について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan について
Watanabe T. について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan について
Applied Physics Letters について
電流 について
ポテンシャル障壁 について
界面 について
酸化膜 について
ナノワイヤ について
少数キャリア について
ドライエッチング について
絶縁体 について
ケイ素 について
負電荷 について
温度勾配 について
水素終端 について
界面トラップ について
Seebeck係数 について
熱電発電機 について
金属薄膜 について
半導体と絶縁体の電気伝導一般 について
半導体の格子欠陥 について
熱電発電機 について
観測 について
Seebeck係数 について