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J-GLOBAL ID：201902262183537970   整理番号：19A0525119

オン状態抵抗マッピングによるSiCパワーMOSFETモジュールのオンライン温度推定【JST・京大機械翻訳】

On-line temperature estimation of SiC power MOSFET modules through on-state resistance mapping

著者 (4件)： Stella Fausto (DENERG, Politecnico di Torino, Turin, Italy) ,  Pellegrino Gianmario (DENERG, Politecnico di Torino, Turin, Italy) ,  Armando Eric (DENERG, Politecnico di Torino, Turin, Italy) ,  Dapra Davide (Vishay Semiconductor Italiana S.p.A., Turin, Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECCE  ページ： 5907-5914  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,SiCパワーMOSFETモジュールの接合温度のリアルタイム推定を扱う。モジュールの一つのデバイスの接合温度を,各時間サンプルで電流とオン状態電圧を測定し,デバイスの温度モデルに入ることによりリアルタイムに推定した。温度モデルは,v_ONが異なる温度と電流条件で測定される専用の試運転セッションで得られる。短い持続時間の電流パルス列を測定したDBC基板温度の異なる値において素子に課した閉ループで,温度測定は同定中の接合温度を一貫して表している。提示した結果は,提案した方法が試験したSiCパワーMOSFETモジュールの接合温度のオンライン温度監視と閉ループ制御を可能にすることを示した。2つの異なるメーカーからの異なるモジュールを現実的な運転条件下で試験した。この概念は全てのDC/DC変換構造に適用でき,一つのデバイスの監視は全モジュールに対して基準値になり得る。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 規格値 ,  電圧 ,  *炭化ケイ素 ,  電流 ,  フィードバック制御 ,  継続時間 ,  生産者 ,  温度測定
準シソーラス用語： 運転条件 ,  パルス電流 ,  実時間 ,  接合温度 ,  *オンライン ,  *パワーMOSFET ,  *オン状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： オン状態 ,  マッピング ,  SiC ,  パワーMOSFET ,  モジュール ,  オンライン ,  推定