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J-GLOBAL ID：201902262234235618   整理番号：19A1414977

InGaAs/GaAs変成バッファ上のMOVPE成長InAs量子ドットからの1.55μmにおける単一光子放出【JST・京大機械翻訳】

Single-photon emission at 1.55 μm from MOVPE-grown InAs quantum dots on InGaAs/GaAs metamorphic buffers

著者 (8件)： Paul Matthias (Institut fuer Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflaechen, Center for Integrated Quantum Science and Technology (IQST) and SCoPE, University of Stuttgart, Allmandring 3, 70569 Stuttgart, Germany) ,  Olbrich Fabian (Institut fuer Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflaechen, Center for Integrated Quantum Science and Technology (IQST) and SCoPE, University of Stuttgart, Allmandring 3, 70569 Stuttgart, Germany) ,  Hoschele Jonatan (Institut fuer Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflaechen, Center for Integrated Quantum Science and Technology (IQST) and SCoPE, University of Stuttgart, Allmandring 3, 70569 Stuttgart, Germany) ,  Schreier Susanne (Institut fuer Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflaechen, Center for Integrated Quantum Science and Technology (IQST) and SCoPE, University of Stuttgart, Allmandring 3, 70569 Stuttgart, Germany) ,  Kettler Jan (Institut fuer Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflaechen, Center for Integrated Quantum Science and Technology (IQST) and SCoPE, University of Stuttgart, Allmandring 3, 70569 Stuttgart, Germany) ,  Portalupi Simone Luca (Institut fuer Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflaechen, Center for Integrated Quantum Science and Technology (IQST) and SCoPE, University of Stuttgart, Allmandring 3, 70569 Stuttgart, Germany) ,  Jetter Michael (Institut fuer Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflaechen, Center for Integrated Quantum Science and Technology (IQST) and SCoPE, University of Stuttgart, Allmandring 3, 70569 Stuttgart, Germany) ,  Michler Peter (Institut fuer Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflaechen, Center for Integrated Quantum Science and Technology (IQST) and SCoPE, University of Stuttgart, Allmandring 3, 70569 Stuttgart, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 3  ページ： 033102-033102-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタクシーにより,単一量子ドットのアドレスを可能にする面積密度を持つGaAs基板上にInGaAs/GaAs変成バッファ層上にInAs量子ドット(QD)を作製した。量子ドットからの光ルミネセンス発光は,量子ドットにおける応力の減少により高い収率で1.55μmにおいてテレコムCバンドにシフトした。変成バッファ層の表面での残留歪の低下は,量子ドット材料と成長表面の間の格子不整合の減少をもたらす。量子ドットは,分解能制限線幅(平均値:59μeV)と低微細構造分裂を示した。さらに,GaAs基板上に直接堆積したInAs QDに匹敵する,1.55μmの単一光子放出(g~(2)(0)=0.003)と1.4nsのオーダーの減衰時間を実証した。著者らの結果は,これらの量子ドットがInP基板上に堆積したそれらの対応物と競合するだけでなく,テレコムCバンドにおける非古典的光源の開発のためのInAs/GaAsのみのアプローチを構成することを示唆した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： リン化インジウム ,  *ヒ化インジウム ,  基板 ,  格子不整合 ,  発光 ,  光源 ,  *変成作用 ,  *MOCVD ,  光ルミネセンス ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ヒ化ガリウム ,  *量子ドット ,  バッファ層
準シソーラス用語： 単一量子ドット ,  *単一光子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： InGaAs ,  GaAs ,  変成 ,  バッファ ,  MOVPE ,  成長 ,  InAs量子ドット ,  単一光子 ,  放出