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J-GLOBAL ID：201902262408774993   整理番号：19A1416063

酸化および不活性環境における600°CでのGaNキャップAlGaN/GaNヘテロ構造における2DEG輸送特性の劣化【JST・京大機械翻訳】

Degradation of 2DEG transport properties in GaN-capped AlGaN/GaN heterostructures at 600 °C in oxidizing and inert environments

著者 (7件)： Hou Minmin (Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Jain Sambhav R. (Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  So Hongyun (Mechanical Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Heuser Thomas A. (Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Xu Xiaoqing (Stanford Nanofabrication Facility, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Suria Ateeq J. (Mechanical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Senesky Debbie G. (Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 19  ページ： 195102-195102-10  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,600°Cにおける空気とアルゴン環境の両方における二次元電子ガス(2DEG)の電子移動度とシート密度を,不動態化とAl_2O_3不動態化AlGaN/GaN(3nm GaNキャップ)van der Pauw試験構造を用いて5時間にわたって断続的に測定した。空気中でアニールした不動態化AlGaN/GaNヘテロ構造は2DEG電子移動度において最小の減少(~8%)を示したが,アルゴン中でアニールしたAl_2O_3不動態化試料はHall測定に基づいて最大の低下(~70%)を示した。光ルミネセンスと原子間力顕微鏡は,最小歪緩和と表面粗さ変化が空気中でアニールした不動態化試料で生じたが,アルゴン中でアニールしたAl_2O_3不動態化では顕著な微細構造劣化を示すことを示した。これは,空気中でアニールされた試料中に発達した亀裂が酸化反応によって修復されたことを示唆している。これをさらに確認するために,Auger電子分光法を空気中でアニールした後の不動態化試料について行い,結果は,AlGaN中の歪緩和を抑制するための転位ピン止め層として作用できる余分な表面酸化物が生成したことを示した。一方,類似の2DEGシート密度は,歪緩和とイオン化電子状態の変化の組合せ影響により,空気またはアルゴン中での5時間アニールの終わりに,不動態化および不動態化AlGaN/GaN試料において観察された。結果は,酸化環境条件で使用される高温エレクトロニクスとセンサのための材料プラットフォームとして不動態化GaNキャップAlGaN/GaNヘテロ構造の使用を支持する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *酸化 ,  焼なまし ,  不動態化 ,  微細構造 ,  アルゴン ,  *窒化ガリウム ,  センサ ,  表面粗さ ,  亀裂 ,  *二次元電子ガス
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム ,  歪緩和 ,  電子移動度 ,  *ヘテロ構造 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： 酸化 ,  不活性 ,  環境 ,  GaN ,  キャップ ,  AlGaN ,  ヘテロ構造 ,  2DEG ,  輸送特性