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J-GLOBAL ID：201902262609815611   整理番号：19A0515101

n電極による個別アドレッシングを用いたGaNベースのマイクロLEDアレイの設計,製作,および応用【JST・京大機械翻訳】

Design, Fabrication, and Application of GaN-Based Micro-LED Arrays With Individual Addressing by N-Electrodes

著者 (16件)： Xie Enyuan (Institute of Photonics, Department of Physics, University of Strathclyde, Glasgow, U.K.) ,  Stonehouse Mark (Institute of Photonics, Department of Physics, University of Strathclyde, Glasgow, U.K.) ,  Ferreira Ricardo (Institute of Photonics, Department of Physics, University of Strathclyde, Glasgow, U.K.) ,  McKendry Jonathan J. D. (Institute of Photonics, Department of Physics, University of Strathclyde, Glasgow, U.K.) ,  Herrnsdorf Johannes (Institute of Photonics, Department of Physics, University of Strathclyde, Glasgow, U.K.) ,  He Xiangyu (Institute of Photonics, Department of Physics, University of Strathclyde, Glasgow, U.K.) ,  Rajbhandari Sujan (Department of Engineering Science, University of Oxford, Oxford, U.K.) ,  Chun Hyunchae (Department of Engineering Science, University of Oxford, Oxford, U.K.) ,  Jalajakumari Aravind V. N. (CMOS Sensors and Systems Group, University of Edinburgh, Edinburgh, U.K.) ,  Almer Oscar (CMOS Sensors and Systems Group, University of Edinburgh, Edinburgh, U.K.) ,  Faulkner Grahame (Department of Engineering Science, University of Oxford, Oxford, U.K.) ,  Watson Ian M. (Institute of Photonics, Department of Physics, University of Strathclyde, Glasgow, U.K.) ,  Gu Erdan (Institute of Photonics, Department of Physics, University of Strathclyde, Glasgow, U.K.) ,  Henderson Robert (CMOS Sensors and Systems Group, University of Edinburgh, Edinburgh, U.K.) ,  O’Brien Dominic (Department of Engineering Science, University of Oxford, Oxford, U.K.) ,  Dawson Martin D. (Institute of Photonics, Department of Physics, University of Strathclyde, Glasgow, U.K.)
資料名： IEEE Photonics Journal  (IEEE Photonics Journal)
巻： 9  号： 6  ページ： ROMBUNNO.7907811.1-11  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2436A  ISSN： 1943-0655  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一般的なp電極(アノード)を共有するGaNベースのマイクロ発光ダイオード(μLED)アレイの開発,性能,および応用を実証し,個々にアドレス可能なn電極(カソード)を用いた。従来のGaN系LEDアレイと比較して,このアレイ設計は,通常の電極と個々の電極の逆構造を採用し,それは,それを革新的にし,高速変調のためのn型金属-酸化物-半導体(NMOS)トランジスタに基づくドライバと互換性がある。優れた性能特性を450nmで発光する例アレイによって例証した。直接電流動作における17.7kA/cm2の電流密度において,直径24μmの単一μLED素子の光パワーと小信号電気光学変調帯域幅は,それぞれ2.0mWと440MHz以上である。最適化された作製プロセスは,アレイ当たりの動作μLED素子の高い収率と,電気/光学特性の優れた素子間均一性を保証する。可視光通信の結果をNMOSドライバと集積したアレイの応用として示した。ビット誤りのない数百Mb/sにおけるデータ伝送は,単一および多重μLED素子動作に対して,オフキーイング変調方式の下で達成される。段階的な鋸歯状波形の伝送も,μLED素子が離散的なマルチレベル信号を伝送できることを確認するために実証した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アノード ,  高速度 ,  電流密度 ,  発光ダイオード ,  電流 ,  *窒化ガリウム ,  カソード ,  半導体 ,  互換性 ,  最適化 ,  帯域幅 ,  多重化 ,  トランジスタ ,  *番地付
準シソーラス用語： *LEDアレイ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 信号理論  (ND02020G) ,  アンテナ  (ND06000M)

タイトルに関連する用語 (6件)： アドレッシング ,  GaN ,  LEDアレイ ,  設計 ,  製作 ,  応用