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J-GLOBAL ID：201902262729043933   整理番号：19A2366212

走査近接場光学顕微鏡による二次元プラズモンチップ上の近接場分布の直接可視化【JST・京大機械翻訳】

Direct Visualization of Near-Field Distributions on a Two-Dimensional Plasmonic Chip by Scanning Near-Field Optical Microscopy

著者 (5件)： Imaeda Keisuke (Research Institute for Science and Engineering, Waseda University) ,  Minoshima Wataru (School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Hyogo, Japan) ,  Tawa Keiko (School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Hyogo, Japan) ,  Imura Kohei (Research Institute for Science and Engineering, Waseda University) ,  Imura Kohei (Department of Chemistry and Biochemistry, School of Advanced Science and Engineering, Waseda University)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 123  号： 16  ページ： 10529-10535  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズモンナノ構造の近接場分布の正確な理解は,それらの実用化に不可欠である。本研究では,走査近接場光学顕微鏡法により,金膜(プラズモンチップ)で覆われた二次元ナノホールアレイ上の近接場分布を直接可視化した。近接場画像では,強い消光スポットがナノホール内部だけでなく外部でも観察された。ナノホールの外側の空間特性は励起波長に強く依存することも分かった。電磁シミュレーションから,近接場画像における消光スポットの位置が増強電場の位置と良く相関することを明らかにした。また,近接場分布に対する励起波長依存性はプラズモンチップに対する古典的格子結合条件により合理化されることを見いだした。これらの知見は,金属ナノホールアレイの近接場特性への新しい物理的洞察を提供し,プラズモンナノホールアレイの性能を最適化するだけでなく,それらの実用化を促進するためにも不可欠である。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *近接場 ,  *二次元 ,  *プラズモン ,  励起 ,  消光 ,  ナノ構造 ,  合理化 ,  波長依存性 ,  最適化 ,  画像 ,  *可視化
準シソーラス用語： 高電場 ,  励起波長 ,  ナノホール ,  ナノホールアレイ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 走査近接場光学顕微鏡 ,  プラズモン ,  近接場 ,  分布 ,  可視化