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J-GLOBAL ID：201902262966849188   整理番号：19A1414910

層間ねじれ角によるMOS_2/グラフェンヘテロ構造のPLおよび電子構造の変調【JST・京大機械翻訳】

Modulating PL and electronic structures of MoS₂/graphene heterostructures via interlayer twisting angle

著者 (13件)： Du Luojun (Department of Physics, Beijing Key Laboratory of Opto-Electronic Functional Materials and Micro-nano Devices, Renmin University of China, Beijing 100872, China) ,  Yu Hua (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Liao Mengzhou (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Wang Shuopei (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Xie Li (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Lu Xiaobo (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Zhu Jianqi (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Li Na (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Shen Cheng (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Chen Peng (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Yang Rong (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Shi Dongxia (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Zhang Guangyu (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 26  ページ： 263106-263106-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる層間ねじれ角を持つvan der Waalsヘテロ構造への二次元材料の積層は,電子構造と物理的性質工学に対する新しい戦略を開く。ここでは,層間ねじれ角がMoS_2/グラフェンヘテロ構造の光ルミネセンス(PL)とRamanスペクトルにどのように影響するかを調べた。異なる層間ねじれ角を有する一連のヘテロ構造試料に基づいて,これらのヘテロ構造における単層MoS_2のPLおよびRamanスペクトルが強くねじれる角度依存性であることを見出した。層間ねじれ角が0°から30°に変化すると,PL強度と発光エネルギーの両方が増加するが,E_2g Ramanモードの分裂は徐々に減少する。観察された現象は,MoS_2とグラフェンの間のねじれ角依存層間相互作用とミス配向誘起格子歪に起因する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  単一層 ,  *グラフェン ,  Ramanスペクトル ,  発光 ,  *電子構造 ,  格子歪 ,  角度依存性
準シソーラス用語： 層間相互作用 ,  二次元材料 ,  van der Waalsヘテロ構造 ,  *ヘテロ構造 ,  *ねじれ角 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (6件)： ねじれ角 ,  グラフェン ,  ヘテロ構造 ,  PL ,  電子構造 ,  変調