{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2024年03月
文献
J-GLOBAL ID:201902263026462506   整理番号:19A1097185

材料エンジニアリングによるトンネル電界効果トランジスタの高性能化

著者 (7件):
資料名:
巻: J102-C  号:ページ: 61-69 (WEB ONLY)  発行年: 2019年03月01日 
JST資料番号: U0472A  ISSN: 1881-0217  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
極低消費電力の集積回路を実現するためには,低電圧で動作する3端子スイッチ素子が必要である.近年,量子力学的トンネル電流をゲート電圧で制御するトンネルFET(Field Effect Transistors)が,そのsteep slope特性による極低電圧動作への期待の観点から,注目されている.本論文では,トンネルFETの動作原理,性能向上のためのキー技術,中でもトンネルFETを構成する半導体材料のエンジニアリングと検討されている素子構造などの紹介を通じて,近年のトンネルFETの研究の動向を概説する.III-V族半導体材料・構造では,InGaAsバルク及び量子井戸構造,GaAsSb/InGaAsヘテロ構造,Geでは,バルクGe,Ge-On-Insulator構造,Ge/ひずみSOI構造,また,酸化物半導体を用いた素子では,(Si,Ge)/ZnOヘテロ構造によるbi-layerトンネルFETに関し,我々の最近の研究結果について紹介する.(著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ  ,  界面の電気的性質一般  ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 
引用文献 (30件):
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る