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J-GLOBAL ID：201902263156180780   整理番号：19A1414700

2次元電荷密度波材料1T-TAS_2におけるNernst効果のナノスケール測定【JST・京大機械翻訳】

Nanoscale measurement of Nernst effect in two-dimensional charge density wave material 1T-TaS₂

著者 (3件)： Wu Stephen M. (Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, USA) ,  Luican-Mayer Adina (Nanoscience and Technology Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, USA) ,  Bhattacharya Anand (Nanoscience and Technology Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 22  ページ： 223109-223109-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元van der Waals層状材料に関するナノスケール材料特性化の進歩は,それらの光学的および電子的性質を主に含んでいる。これらの材料の熱特性はナノスケールでの熱測定の困難さのためにアクセスするのが難しい。本研究では,超薄van der Waals材料の基本的な面外磁気熱輸送特性にアクセスするためのナノスケール磁気熱素子プラットフォームを作製した。具体的には,電荷密度波遷移金属ジカルコゲナイド1T-TaS_2におけるNernst効果をパターン化素子構造におけるナノ薄片について調べた。整合電荷密度波(CCDW)近傍で,ほぼ整合した電荷密度波(NCCDW)相転移に対して,Nernst効果の極性が変化することを明らかにした。Nernst効果はFermi面の変化に特に敏感であるので,これは1T-TaS_2の面外電子構造に大きな変化が生じることを示唆している。これはCCDW→NCCDW遷移における面外積層のコヒーレント発展を信号する可能性がある。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  *電荷密度波 ,  素子構造 ,  *二次元 ,  電子構造 ,  積層材料 ,  パターン形成 ,  相転移 ,  コヒーレンス ,  ナノ材料 ,  *Nernst効果 ,  磁気
準シソーラス用語： ナノプレートレット ,  輸送特性 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 2次元 ,  電荷密度波 ,  Nernst効果 ,  ナノスケール