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J-GLOBAL ID：201902263225825998   整理番号：19A1553866

GeSnに対する経験的擬ポテンシャルからの8バンドK・pパラメータの抽出【JST・京大機械翻訳】

Extraction of eight-band k・p parameters from empirical pseudopotentials for GeSn

著者 (2件)： Liu Shao-Qi (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, 1001 Ta-Hsueh Road, Hsinchu 30050, Taiwan) ,  Yen Shun-Tung (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, 1001 Ta-Hsueh Road, Hsinchu 30050, Taiwan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 125  号： 24  ページ： 245701-245701-9  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 修正仮想結晶近似による非局所的経験的擬ポテンシャル法の計算から,Ge_1-xSn_x(x≦0.15)に対する8バンドk・pモデルに対するパラメータを抽出した。Geの原子擬ポテンシャル形因子は,計算したGeバンド構造が一般的に受け入れられているバンドギャップと有効質量を持つように改善される。改良されたGeパラメータは,経験的擬ポテンシャル計算のためのGeSnのパラメータを導出するために適切な内挿法で使用される。計算されたバンド構造は,Ge_1-xSn_x合金が間接バンドギャップ半導体とSn組成x_c=0.071における直接的なものとの間の遷移を示すことを示唆する。計算から,xの関数として,バンドギャップ,スプリットオフエネルギー,バンド間運動量行列要素,およびGe_1-xSn_x(x≦0.15)の有効質量を抽出した。これらの結果から,8バンドk・pモデルで用いたパラメータをさらに導出した。これらのパラメータは二次形式で良く表現される。抽出されたパラメータを持つk・pモデルは,経験的擬ポテンシャル法によって計算された電流と一致する「ピン」ダイオードにおけるバンド間トンネリング電流を与えることができる。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  *ゲルマニウム ,  ダイオード ,  *パラメータ ,  バンドギャップ ,  合金 ,  半導体 ,  バンド構造 ,  有効質量 ,  内挿法 ,  擬ポテンシャル法
準シソーラス用語： 行列要素 ,  間接バンドギャップ ,  k・p法 ,  *擬ポテンシャル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 経験 ,  擬ポテンシャル ,  バンド ,  パラメータ