文献

J-GLOBAL ID：201902263237618332   整理番号：19A0511858

HTSC膜における局所ヒステリシス損失と残留磁場との関係【JST・京大機械翻訳】

The Relation Between Local Hysteresis Losses and Remanent Magnetic Fields in HTSC Films

著者 (5件)： Kim Muyong (Department of Physics, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Park Heeyeon (Department of Physics, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Kim Chan (Department of Physics, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Park Sang-Kook (Department of Physics, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Ri H.-C. (Department of Physics, Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 27  号： 4  ページ： ROMBUNNO.5900304.1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温超伝導(HTSC)膜のヒステリシス損失機構を理解するために種々の臨界状態モデルを開発した。完全浸透事例における薄膜に対するBeanの臨界状態モデルに基づいて,ヒステリシス損失と残留場の間の解析的関係を得た。さらに,Kimの臨界状態モデルにより局所ヒステリシスループの数値計算を行った。本論文では,低温走査Hallプローブ顕微鏡を用いてGdBCO被覆導体の局所ヒステリシス損を調べ,臨界状態モデルを適用して実験結果を再現した。薄膜における反磁性効果のため,局所ヒステリシス損失の解析は,全ヒステリシス損失を理解するための有用な方法である。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 数値計算 ,  低温 ,  走査 ,  薄膜 ,  *ヒステリシス損 ,  浸透
準シソーラス用語： 被覆導体 ,  GdBCO ,  プローブ顕微鏡 ,  ヒステリシスループ ,  臨界状態模型 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 移動通信  (ND08030H) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  通信網  (ND07030A)

タイトルに関連する用語 (3件)： HTSC ,  ヒステリシス損失 ,  残留磁場