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J-GLOBAL ID：201902263332673048   整理番号：19A0661167

GaN/AlNナノワイヤヘテロ構造におけるBias制御光学遷移【JST・京大機械翻訳】

Bias-Controlled Optical Transitions in GaN/AlN Nanowire Heterostructures

著者 (12件)： Muessener Jan (Institut fuer Festkoerperphysik, Universitaet Bremen, Germany) ,  Muessener Jan (I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universitaet Giessen, Germany) ,  Hille Pascal (Institut fuer Festkoerperphysik, Universitaet Bremen, Germany) ,  Hille Pascal (I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universitaet Giessen, Germany) ,  Grieb Tim (Institut fuer Festkoerperphysik, Universitaet Bremen, Germany) ,  Schoermann Joerg (I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universitaet Giessen, Germany) ,  Teubert Joerg (I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universitaet Giessen, Germany) ,  Monroy Eva (Universite Grenoble-Alpes, France) ,  Monroy Eva (CEA-Grenoble, INAC-PHELIQS, France) ,  Rosenauer Andreas (Institut fuer Festkoerperphysik, Universitaet Bremen, Germany) ,  Eickhoff Martin (Institut fuer Festkoerperphysik, Universitaet Bremen, Germany) ,  Eickhoff Martin (I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universitaet Giessen, Germany)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 9  ページ： 8758-8767  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 外部印加バイアスによりGaNナノワイヤに埋め込まれた40×GaN/AlNヘテロ構造超格子における光学遷移の制御と修正について報告した。これらのマルチナノディスクヘテロ構造の複雑なバンドプロファイルは,発光特性が分極誘起内部電場により強く影響される光学遷移の多様体をもたらす。単一接触ナノワイヤに沿った外部軸方向電場の重ね合わせが,各光ルミネセンス発光の特定の修正をもたらし,それらの起源を調べ,同定し,遷移エネルギー,強度,減衰時間の観点から,それらの特性を制御できることを実証した。このアプローチを用いて,一つのナノディスク内の直接遷移,隣接ナノディスク間の間接遷移,ヘテロ構造の上部/底部エッジでの遷移,およびGaN近バンド端発光を識別できる。直接遷移の遷移エネルギーは450meVの範囲で外部バイアスによりシフトし,15倍の強度で変化するが,間接遷移は逆バイアス依存性を示し,外部バイアスを印加すると観測可能でスペクトル的に分離される。さらに,平坦バンド条件に近いバンドプロファイルを調整することにより,内部電場の方向と大きさを見積もることができ,これは極性III族窒化物に対して高い関心がある。広い範囲にわたる発光特性の直接制御は,可変同調可能な光電子デバイスに応用できる可能性がある。より基礎的な研究のために,単一ナノワイヤヘテロ構造は,結合量子構造における相互作用過程を調べ,制御するための明確で孤立したシステムを提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 超格子 ,  相互作用 ,  光ルミネセンス ,  *窒化ガリウム ,  分極 ,  *窒化アルミニウム ,  スペクトル ,  発光 ,  電場 ,  *ナノワイヤ ,  バイアス
準シソーラス用語： 直接遷移 ,  ナノディスク ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： GaN/AlNナノワイヤヘテロ構造 ,  量子閉込めStark効果 ,  結合量子系 ,  間接/直接遷移 ,  バイアス制御光学特性 ,  単一ナノワイヤμPL

分類 (4件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  励起子  (BM02120E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  AlN ,  ナノワイヤ ,  ヘテロ構造 ,  光学遷移