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J-GLOBAL ID：201902263532588271   整理番号：19A2180052

シャント直列SiGe pinダイオードを用いた小型高電力60GHz SPDTスイッチ【JST・京大機械翻訳】

A Compact, High-Power, 60 GHz SPDT Switch Using Shunt-Series SiGe PIN Diodes

著者 (3件)： Gong Yunyi (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Tech, Atlanta, GA, 30332-0250, USA) ,  Teng Jeffrey W. (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Tech, Atlanta, GA, 30332-0250, USA) ,  Cressler John D. (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Tech, Atlanta, GA, 30332-0250, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： RFIC  ページ： 15-18  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,130nm SiGe BiCMOS技術においてPINダイオードを用いて実装した小型,60GHz,SPDTスイッチの設計について述べた。SPDT RFスイッチは,オフ状態シャントダイオードの「自己逆バイアス」への抵抗バイアス方式を有する新しいシャント直列トポロジーを採用し,それにより,SPDTの電力処理能力を改善した。結合インダクタ整合ネットワークを用いてスイッチサイズを最小化した。提案した設計は,2.0dBの最小挿入損失,26dB以上のアイソレーション,および22dBmの入力参照P1dB(60GHzで)を達成した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  ネットワーク ,  *スイッチ ,  バイアス ,  挿入損 ,  スループット ,  *電力 ,  PINダイオード ,  *ダイオード
準シソーラス用語： 結合インダクタ ,  逆バイアス ,  オフ状態 ,  *SPDTスイッチ ,  *SPDT ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： システム同定  (IA02040O) ,  移動通信  (ND08030H) ,  システム設計・解析  (IA02030D)

タイトルに関連する用語 (6件)： シャント ,  直列 ,  SiGe ,  PINダイオード ,  高電力 ,  SPDTスイッチ