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J-GLOBAL ID：201902263740970196   整理番号：19A1460529

グラフェンの電気化学的処理【JST・京大機械翻訳】

Electrochemical Treatment of Graphene

著者 (11件)： Usikov Alexander (Nitride Crystals Inc, Richmond, USA, VA) ,  Puzyk Mike (University ITMO, St. Petersburg, Russian Federation) ,  Novikov Sergey (Aalto University, St. Petersburg, Russian Federation) ,  Barash Iosif (Nitride Crystals Group Ltd., pr. Engel’sa 27, St. Petersburg 194156, Russia, Russian Federation) ,  Medvedev Oleg (St-Petersburg University, St.-Petersburg, Russian Federation) ,  Roenkov Alexander (Nitride Crystals Group Ltd., St. Petersburg, Russian Federation) ,  Goryachkin Andrey (Nitride Crystals Group Ltd, St. Petersburg, Russian Federation) ,  Lebedev Sergey P. (Russian Academy of Sciences, Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, Russian Federation) ,  Zubov Alexander (ITMO University, Sankt-Petersburg, Russian Federation) ,  Makarov Yu. (Nitride Crystals Ltd., St.-Petersburg, Russian Federation) ,  Lebedev Alexander A. (Russian Academy of Science, Ioffe Physicotechnical Institute, St. Petersburg, Russian Federation)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 799  ページ： 197-202  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無機電解質(KOH,KClおよびNa_2SO_4)中のグラフェン/SiCダイスの処理について考察した。Ag/AgCl参照電極,白金対向電極,およびグラフェン/SiCダイスを作用電極(アノード)とした従来の3電極セルにおけるサイクリックボルタンメトリーに基づく電気化学的方法を処理に用いた。グラフェンの部分酸化またはCO2の生成による完全溶解のいずれかを観察した。処理によりグラフェン膜の劣化とグラフェン/SiCダイスに適用した走査電位の範囲に依存するグラフェンダイ抵抗率の変化が生じた。Copyright 2019 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電位 ,  走査 ,  電気抵抗率 ,  炭化ケイ素 ,  白金 ,  電解質 ,  *電気化学 ,  *グラフェン ,  溶解 ,  電解 ,  アノード ,  基準電極 ,  サイクリックボルタンメトリー
準シソーラス用語： 作用電極 ,  対極 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン ,  サイクリックボルタンメトリー ,  走査型Electron顕微鏡法 ,  無機電解質中の電解

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： グラフェン ,  電気化学的処理