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J-GLOBAL ID:201902263989944398   整理番号:19A2693258

水素化非晶質炭素被覆の水素存在状態とその熱安定性【JST・京大機械翻訳】

Hydrogen existence state of a hydrogenated amorphous carbon coating and its thermal stability
著者 (5件):
資料名:
巻: 99  ページ: Null  発行年: 2019年 
JST資料番号: W0498A  ISSN: 0925-9635  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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水素化非晶質炭素(a-C:H)被覆を,740Vのバイアス電圧でプラズマ増強化学蒸着により蒸着した。被覆316L試料を5Paアルゴン媒体中でアニールした。被覆の水素含有量,化学結合構造および形態,およびアニーリング中のそれらの進展を,それぞれ,弾性反跳検出分析,質量分析,Fourier変換赤外分光法,Raman分光法およびX線光電子分光法によって特性化した。水素化a-C:H被覆は約50at%の水素を有することが分かった。しかしながら,水素の大部分はおそらく水素分子の形で存在し,そのいくつかはいくつかの「閉じた」ボイドにカプセル化されていた。明らかに,この特殊な構造は,高いH含有量でa-C:H中のsp3CC分率を改善する有効な方法である。分子状水素は,490°C以下でのアニーリング中に「閉じた」ボイド中に安定に留まることができた。特定の構造を有するこれらのa-C:H被覆に対して,330°C以下でアニールすると,C sp3からsp2への変換はa-C:H被覆におけるいわゆる活性なCH結合反応によって制御された。330°C以上でアニールすると,これらの活性なCH結合は急速に枯渇し,炭素クラスタは成長し始めた。>490°Cのアニーリング温度で,Csp3からCsp2への急速な変換は,エネルギー障壁を克服することにより誘起されたC sp3結合切断と原子再配列に起因した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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その他の無機化合物の薄膜  ,  炭素とその化合物 
タイトルに関連する用語 (4件):
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