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J-GLOBAL ID：201902264010032222   整理番号：19A1827380

2Xnmを超えたSTT-MRAMのための新しい4次インタフェイスMTJ技術と高い熱安定性とスイッチング効率を持つ最初の実証【JST・京大機械翻訳】

Novel Quad interface MTJ technology and its first demonstration with high thermal stability and switching efficiency for STT-MRAM beyond 2Xnm

著者 (11件)： Nishioka K. (JST-ACCEL) ,  Honjo H. (JST-ACCEL) ,  Ikeda S. (JST-ACCEL) ,  Watanabe T. (JST-ACCEL) ,  Miura S. (JST-ACCEL) ,  Inoue H. (JST-ACCEL) ,  Tanigawa T. (JST-ACCEL) ,  Noguchi Y. (JST-ACCEL) ,  Yasuhira M. (JST-ACCEL) ,  Sato H. (Center for Science and Innovation in Spintronics, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Endoh T. (JST-ACCEL)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： VLSI Technology  ページ： T120-T121  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の二重界面MTJ技術と比較して,熱安定性因子Δとスイッチング効率Δ/I_C0の両方を1.5~2倍に増加させる新しい二次界面磁気トンネル接合(MTJ)技術を提案した。著者らは,PVD,RIEなどを含む新しい低損傷統合プロセスに基づく300mmプロセスを用いて,二次界面MTJを首尾よく製作した。二次界面MTJを開発することによって,約2倍のΔとΔ/I_C0を達成した。さらに,二次界面MTJ技術に特有のスタック開発により,約2倍大きなTMR比/RAを達成した。二重界面MTJ技術と見なされる開発された二次界面MTJ技術は,20nmを超えるST-MRAMのスケーリングのための必須技術になるであろう。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *インタフェイス ,  *熱安定性 ,  *スイッチング ,  磁気トンネル接合

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： STT-MRAM ,  インタフェイス ,  MTJ ,  熱安定性 ,  スイッチング ,  実証