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J-GLOBAL ID：201902264052474060   整理番号：19A2110945

アンチドット格子を持つ単層グラフェンの量子輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Quantum transport properties of monolayer graphene with antidot lattice

著者 (6件)： Wang Leizhi (Energy Sciences Institute, Yale University West Campus, West Haven, Connecticut 06516, USA) ,  Yin Ming (Department of Physics and Engineering, Benedict College, Columbia, South Carolina 29204, USA) ,  Zhong Bochen (Department of Physics and Astronomy, University of South Carolina, Columbia, South Carolina 29208, USA) ,  Jaroszynski Jan (National High Magnetic Field Laboratory, Tallahassee, Florida 32310, USA) ,  Mbamalu Godwin (Department of Physics and Engineering, Benedict College, Columbia, South Carolina 29204, USA) ,  Datta Timir (Department of Physics and Astronomy, University of South Carolina, Columbia, South Carolina 29208, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 126  号： 8  ページ： 084305-084305-7  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層グラフェンにおける量子輸送特性は構造修飾に敏感である。アンチドットの六方格子の導入は,グラフェンの弱い局在化とShubnikov-de Haas(SdH)振動に広い影響を及ぼすことを見出した。アンチドット格子は位相コヒーレンスと谷間散乱長の両方を減少させた。顕著に,ソフト化された谷間散乱でさえ,すなわち,位相破壊時間は谷間散乱時間より短く,時間反転状態間のコヒーレンスは弱い局在化を保持するために適切であり,オフビートとまれに報告された。SdH振動はアンチドット格子によって押し上げられるが,SdH信号の振幅はアンチドット半径の増加とともに急速に上昇する。しかし,有効質量とキャリア密度の両方は,より大きなアンチドット格子において減少した。約10meVのバンドギャップを開いた。アンチドット格子は,グラフェンの電子特性を操作するための効果的なドーピングフリーの方法である。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  ドーピング ,  散乱 ,  位相 ,  有効質量 ,  バンドギャップ ,  *グラフェン ,  高速度 ,  コヒーレンス
準シソーラス用語： 位相コヒーレンス ,  弱局在 ,  六方格子 ,  *量子輸送 ,  *単層グラフェン ,  *アンチドット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドット ,  格子 ,  単層グラフェン ,  量子 ,  輸送特性