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J-GLOBAL ID：201902264265066867   整理番号：19A0661087

磁気特性の連続歪調整のための柔軟な準二次元CoFe_2O_4エピタキシャル薄膜【JST・京大機械翻訳】

Flexible Quasi-Two-Dimensional CoFe₂O₄ Epitaxial Thin Films for Continuous Strain Tuning of Magnetic Properties

著者 (18件)： Zhang Yong (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University) ,  Zhang Yong (State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University) ,  Shen Lvkang (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University) ,  Shen Lvkang (State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University) ,  Liu Ming (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University) ,  Liu Ming (State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University) ,  Li Xin (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, China) ,  Lu Xiaoli (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, China) ,  Lu Lu (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University) ,  Ma Chunrui (State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University) ,  You Caiyin (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, China) ,  Chen Aiping (Center for Integrated Nanotechnologies (CINT), Los Alamos National Laboratory, New Mexico, United States) ,  Huang Chuanwei (Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, China) ,  Chen Lang (Department of Physics, South University of Science and Technology, Shenzhen, China) ,  Alexe Marin (Department of Physics, University of Warwick, United Kingdom) ,  Jia Chun-Lin (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University) ,  Jia Chun-Lin (State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University) ,  Jia Chun-Lin (Ernst Ruska Centre for Microscopy and Spectroscopy with Electrons, Forschungszentrum Juelich, Germany)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 8  ページ： 8002-8009  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CoFe_2O_4(CFO)のエピタキシャル薄膜を,SrTiO_3基板から柔軟なポリイミド基板上に首尾よく転写した。フレキシブルポリイミドを曲げることにより,異なるレベルの一軸歪をCFOエピタキシャル薄膜に連続的に導入した。基板により誘起される従来のエピタキシャル歪とは異なり,曲げからの歪は臨界厚さ限界,結晶品質変化,基板クランピングの影響を受けず,より重要なことに,機能性酸化物系における歪制御挙動を研究するためのより本質的で信頼できる方法を提供する。移動膜の飽和磁化と保磁力の両方が曲げ状態で変化し,ポリイミド基板の曲率曲げ半径の運動と高い一致を示すことが分かった。これは,機械的歪が,膜面方向に平行および垂直なCFO薄膜の磁気的性質の調整において重要な役割を果たすことを明らかにした。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 曲率 ,  酸化物 ,  *エピタクシー ,  飽和磁化 ,  基板 ,  ポリイミド ,  保磁力 ,  *薄膜 ,  臨界 ,  同調
準シソーラス用語： 曲げ半径 ,  歪制御 ,  機能性 ,  結晶品質 ,  一軸歪 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 自立薄膜 ,  歪同調 ,  CoFe_2O_4 ,  磁気的性質 ,  フレキシブルエレクトロニクス

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁気特性 ,  歪 ,  エピタキシャル ,  薄膜