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J-GLOBAL ID:201902264620363443   整理番号:19A1531047

GaNとBCD技術の不均一集積【JST・京大機械翻訳】

Heterogeneous Integration of GaN and BCD Technologies
著者 (8件):
資料名:
巻:号:ページ: 351  発行年: 2019年 
JST資料番号: U7178A  ISSN: 2079-9292  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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発光ダイオード(LED)は,高エネルギー効率,高速スイッチング,小さい形状因子を持ち,特定の波長の光を放出できる固体デバイスである。作製プロセスで放出される光の波長を正確に制御する能力は,LEDが照明を提供するだけでなく,生物学および生命科学研究における応用を見出すことを可能にする。LEDデバイスの新しい世代を可能にするために,小型化照明装置のための可能な電池動作と集積レベルのためのエネルギー効率を改善する方法を探究する必要がある。本論文では,これを達成することができるバイポーラCMOS DMOS(BCD)回路を用いて,GaN LEDとGaNトランジスタの両方で,窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの不均一集積の最初の事例を示した。この概念を検証するために,LEDドライバを設計し,実装し,実験的に検証した。それは,1.36Wの出力電力と2.4,4.4mm2のコンパクトサイズを特徴とする。設計された完全集積LED照明装置は,約454nmの波長で可視光を放出し,したがって,生物学研究と生命科学応用のために採用することができる。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
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発光素子 
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