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J-GLOBAL ID：201902264657278075   整理番号：19A1379603

太陽電池における表面ギャップ状態不動態化とFermi準位脱ピン止めのモデリング【JST・京大機械翻訳】

Modeling of surface gap state passivation and Fermi level de-pinning in solar cells

著者 (4件)： Lu Haichang (Engineering Department, Cambridge University, Cambridge CB3 0FA, United Kingdom) ,  Guo Yuzheng (Swansea University, Swansea SA2 8PP, United Kingdom) ,  Li Hongfei (Engineering Department, Cambridge University, Cambridge CB3 0FA, United Kingdom) ,  Robertson John (Engineering Department, Cambridge University, Cambridge CB3 0FA, United Kingdom)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 114  号： 22  ページ： 222106-222106-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 配位欠陥(例えば,ダングリングボンド)と金属誘起ギャップ状態(MIGS)によるギャップ状態の挙動を,密度汎関数スーパーセル計算を用いて比較した。両タイプのギャップ状態はキャリア再結合を引き起こすが,それらは異なる方法で不動態化される。欠陥はギャップからそれらの状態をシフトさせることにより不動態化できるが,MIGSは通常配位原子上にあり,それらの状態はシフトしない。それらの「不動態化」は絶縁層の挿入を必要とし,半導体に入る前に十分にそれらを減衰させる。MIGSはまた,Fermiレベルのピン止めを引き起こし,接触による仕事関数の制御を抑制し,ある太陽電池設計を可能にするためにも減衰しなければならないことを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ダングリングボンド ,  キャリア再結合 ,  密度汎関数法 ,  *太陽電池 ,  *ピン止め ,  半導体 ,  *Fermi準位 ,  仕事関数 ,  計算 ,  金属 ,  *モデリング ,  *不動態化
準シソーラス用語： 絶縁層 ,  *脱ピン止め , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 太陽電池 ,  ギャップ ,  不動態化 ,  Fermi準位 ,  脱ピン止め ,  モデリング