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J-GLOBAL ID：201902264749950146   整理番号：19A1374629

フェムト秒レーザー照射による結晶改質がp-GaNへのオーミックコンタクトに与える影響

著者 (5件)： 片山裕之 (徳島大 工) ,  直井美貴 (徳島大 工) ,  岡田達也 (徳島大 工) ,  田中康弘 (香川大 工) ,  富田卓朗 (徳島大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10a-W631-12  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： GaNパワーデバイスは現在実用化段階にある。しかし、その性能は未だ開発中であり、特にp型GaN(p-GaN)上に低接触抵抗電極を作製することは、損失を低減するために非常に重要である。p-GaN上の電極は、一般的にイオン注入およびその後の高温...【本文一部表示】

シソーラス用語： フェムト秒レーザ ,  レーザ照射 ,  *窒化ガリウム ,  *Ohm接触 ,  半導体薄膜 ,  電子顕微鏡観察 ,  電流電圧特性 ,  改質 ,  P型半導体
準シソーラス用語： *オーミックコンタクト ,  サファイア基板 ,  エピタクシー膜 ,  透過型走査電子顕微鏡法 ,  レーザフルエンス

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： フェムト秒レーザー ,  結晶 ,  改質 ,  GaN ,  オーミックコンタクト