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J-GLOBAL ID：201902264857412451   整理番号：19A2215377

制限された底部電極構造を持つ基板を用いた蓄積電荷測定【JST・京大機械翻訳】

Accumulated charge measurement using a substrate with a restricted-bottom-electrode structure

著者 (9件)： Tanimura Toshiaki (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan) ,  Tajima Hiroyuki (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan) ,  Ogino Akinari (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan) ,  Miyamoto Yuta (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan) ,  Kadoya Tomofumi (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan) ,  Komino Takeshi (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan) ,  Yokomatsu Tokuji (Graduate School of Engineering, University of Hyogo, 2167 Shosha, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan) ,  Maenaka Kazusuke (Graduate School of Engineering, University of Hyogo, 2167 Shosha, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan) ,  Ikemoto Yuka (Research & Utilization Division, Japan Synchrotron Radiation Research Institute, SPring-8 1-1-1 Kouto, Sayo, Hyogo 679-5198, Japan)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 74  ページ： 251-257  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蓄積電荷測定(ACM)は,金属-insulator-semiconductor-金属(MISM)キャパシタを用いて半導体-金属界面における電荷注入障壁を直接評価するための有機半導体の新しい実験技術である。この技術では,絶縁層(C_I)の静電容量の正確な推定が解析に必要である。このパラメータの情報は原理的にACMデータに含まれる。しかし,非制限電極構造を持つ有機MISMキャパシタにおける電荷拡散効果から生じる誤差のため,直接評価されない。したがって,以前のACM実験におけるC_Iは,電極の面積から独立に推定された。本研究では,制限底部電極構造を持つ基板の新しい設計を報告した。新しく設計した基板を用いて,電荷拡散効果を抑制し,ACMデータから直接C_Iの正確な値を推定することができた。続いて,金属を含まないフタロシアニン(H_2Pc)-Agおよびペンタセン-Au界面における注入障壁を評価することが可能であり,それぞれ0.4および0.15eVであった。半導体層の内蔵電位も測定に用いた試料について決定した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 有機半導体 ,  半導体 ,  コンデンサ ,  電位 ,  *電荷 ,  界面 ,  静電容量 ,  キャリア注入 ,  大環状化合物 ,  窒素複素環化合物 ,  架橋化合物 ,  芳香族縮合化合物 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 内蔵 ,  絶縁層 ,  *電極構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 注入障壁 ,  蓄積電荷測定 ,  制限された底部電極 ,  ペンタセン ,  フタロシアニン ,  組込みポテンシャル

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (2件)： フタロシアニン ,  ペンタセン

タイトルに関連する用語 (4件)： 制限 ,  電極構造 ,  蓄積 ,  電荷測定