文献

J-GLOBAL ID：201902264878158885   整理番号：19A1465125

2D物質の多体量子モンテカルロ研究:単層ホスホレンにおける凝集とバンドギャップ【JST・京大機械翻訳】

Many-Body Quantum Monte Carlo Study of 2D Materials: Cohesion and Band Gap in Single-Layer Phosphorene

著者 (7件)： Frank T. (Institute for Theoretical Physics, University of Regensburg, 93040 Regensburg, Germany) ,  Derian R. (Center for Computational Materials Science, Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences, 84511 Bratislava, Slovakia) ,  Tokar K. (Center for Computational Materials Science, Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences, 84511 Bratislava, Slovakia) ,  Mitas L. (Department of Physics, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695-8202, USA) ,  Fabian J. (Institute for Theoretical Physics, University of Regensburg, 93040 Regensburg, Germany) ,  Stich I. (Center for Computational Materials Science, Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences, 84511 Bratislava, Slovakia) ,  Stich I. (Institute of Informatics, Slovak Academy of Sciences, 845 07 Bratislava, Slovakia and Department of Natural Sciences, University of Saints Cyril and Methodius, 917 01 Trnava, Slovakia)
資料名： Physical Review X  (Physical Review X)
巻： 9  号： 1  ページ： 011018  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5063A  ISSN： 2160-3308  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子モンテカルロ(QMC)法を適用して,半導体二次元ホスホレンの基本的(準粒子)電子バンドギャップ[数式:原文を参照]を得た。その光学的及び電子的性質はグラフェンと2D遷移金属ジカルコゲニド間の空孔を満たした。他の2D材料と同様に,ホスホレンの電子構造は還元スクリーニングにより強く影響され,単一粒子密度汎関数法により信頼できる予測を得ることを困難にした。摂動補正としての多体効果を含む先進[数式:原文を参照]法は互いにほとんど一致せず,1.6から2.4eVへのほぼ1eVの広がりをもつホスホレンのバンドギャップを予測した。無限周期超格子と有限クラスタからのQMC結果は,[数式:原文を参照]を約2.4eVと予測し,利用可能な[数式:原文を参照]結果が系統的にギャップを過小評価することを示した。励起子結合エネルギーと[数式:原文を参照]の間の最近明らかにされた普遍的スケーリングを用いて,誘電環境に対するそのロバスト性のためにカプセル化試料上でさえ測定に直接関連する約1.7eVの光学ギャップを予測した。QMCギャップは光吸収と光ルミネセンス励起分光法に基づく最近の実験と実際に一致した。また,ホスホレンの凝集はバルク結晶のそれよりわずかに小さいことを予測した。著者らの研究はベンチマーク[数式:原文を参照]法と実験だけでなく,電子相関やvan der Waals相互作用などの多体効果を含む計算的に集中的ではあるが高度に予測的なQMC法への2D電子構造の分野を開いた。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光吸収 ,  クラスタ ,  グラフェン ,  予測 ,  *バンドギャップ ,  *二次元 ,  光ルミネセンス ,  半導体 ,  *単一層 ,  密度汎関数法 ,  超格子 ,  励起 ,  *モンテカルロ法
準シソーラス用語： 多体効果 ,  *フォスフォレン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 2D ,  物質 ,  量子 ,  モンテカルロ ,  研究 ,  単層 ,  ホスホレン ,  凝集 ,  バンドギャップ