文献

J-GLOBAL ID：201902264949294361   整理番号：19A0523296

イメージセンサのためのイオン注入技術【JST・京大機械翻訳】

Ion Implantation Technology for Image Sensors

著者 (1件)： Teranishi Nobukazu
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IIT  ページ： 1-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 画像センサ技術は劇的に進歩しており,市場における成功した成功をもたらした。画像センサ開発の間,イオン注入技術は重要な役割を果たした。1)イオン注入ステップを適用して,PPD(ピン止めフォトダイオード),特殊なアイソレーション構造,および画素でトランジスタを同調させるような特定の構造を作製した。CCD(電荷結合素子)とCMOSイメージセンサのための一次技術は,画像遅れ,低雑音,および大きな飽和と共に低暗電流を実現する。2)深いPDと深いドーピングアイソレーションを得るためには,高エネルギーで精密な角度注入が必要である。3)画像センサは金属汚染に敏感である。したがって,画像センサを用いた暗電流分光法は金属を同定し,金属密度を正確に評価することができる。暗電流を低減するためには,ゲッタリング技術と共に金属汚染が少ない。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 画像 ,  トランジスタ ,  暗電流 ,  画素 ,  *イオン注入 ,  フォトダイオード ,  電荷結合素子 ,  ドーピング ,  ピン止め ,  ゲッタリング ,  *イメージセンサ
準シソーラス用語： 金属汚染 ,  高エネルギー ,  低雑音 ,  CMOSイメージセンサ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (2件)： イメージセンサ ,  イオン注入