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J-GLOBAL ID：201902265052081788   整理番号：19A0658902

半導性パボナイトCdMBI_4Se_8(M=Sn,Pb)とそれらの熱電特性【JST・京大機械翻訳】

Semiconducting Pavonites CdMBi₄Se₈ (M = Sn and Pb) and Their Thermoelectric Properties

著者 (12件)： Zhao Jing (Beijing Center for Crystal Research and Development, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Zhao Jing (Department of Chemistry, Northwestern University, Illinois, United States) ,  Islam Saiful M. (Department of Chemistry, Northwestern University, Illinois, United States) ,  Hao Shiqiang (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University, Illinois, United States) ,  Tan Gangjian (Department of Chemistry, Northwestern University, Illinois, United States) ,  Su Xianli (Department of Chemistry, Northwestern University, Illinois, United States) ,  Su Xianli (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, China) ,  Chen Haijie (Department of Chemistry, Northwestern University, Illinois, United States) ,  Lin Wenwen (Department of Chemistry, Northwestern University, Illinois, United States) ,  Li Rukang (Beijing Center for Crystal Research and Development, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Wolverton Chris (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University, Illinois, United States) ,  Kanatzidis Mercouri G. (Department of Chemistry, Northwestern University, Illinois, United States)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 19  ページ： 8494-8503  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2つの新しい化合物CdPbBi_4Se_8とCdSnBi_4Se_8は,ペロブスカイト構造型を採用し,単斜晶空間群C2/mで結晶化し,CdPbBi_4Se_8に対して,a=13.713(3)Å,b=4.1665(8)Å,c=15.228(3)Å,β=115.56(3)°である。CdSnBi_4Se_8に対するa=13.679Å,b=4.153Å,c=15.127Å,β=115.51°。それらの結晶構造は二つの異なるタイプの多面体スラブから成り,一つは一つの八面体[MSe_6]ブロックと一対二乗ピラミッド[MSe_5]の混合物を含み,他方は三つの[MSe_6]八面体鎖(M=Pb,Cd,Bi,Sn)を有する歪んだ方鉛鉱型(またはNaCl型)格子を形成する。CdPbBi_4Se_8とCdSnBi_4Se_8の両方は~970Kまで安定である。密度汎関数理論(DFT)計算は,CdPbBi_4Se_8とCdSnBi_4Se_8の両方が間接バンドギャップ半導体であることを示した。CdSnBi_4Se_8上で行ったDFTフォノン分散計算は,320Kにおいて~0.58W m-1K-1の観測された低い実験格子熱伝導率の起源に関する価値ある洞察を与える。標題化合物はn型伝導を示し,最大熱電性能指数ZTを持つ有望な熱電特性を示し,CdPbBi_4Se_8に対して0.63に達し,850KにおいてCdSnBi_4Se_8に対して0.40であった。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  *半導性 ,  単斜晶系 ,  空間群 ,  フォノン分散 ,  密度汎関数法 ,  塩化ナトリウム ,  結晶構造 ,  結晶化 ,  八面体 ,  角錐 ,  方鉛鉱
準シソーラス用語： 間接バンドギャップ ,  ペロブスカイト型構造 ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  塩  (CD01050V) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導性 ,  Pb ,  熱電特性