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J-GLOBAL ID:201902265075989087   整理番号:19A1465720

第一原理による低エミッタンス格子設計:逆曲げと縦勾配屈曲【JST・京大機械翻訳】

Low emittance lattice design from first principles: Reverse bending and longitudinal gradient bends
著者 (2件):
資料名:
巻: 22  号:ページ: 021601  発行年: 2019年 
JST資料番号: W5064A  ISSN: 2469-9888  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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一つの均一な曲げ磁石を有する単位セルは,回折限界貯蔵リングの新しい発生のために,マルチベンドアクロマット(MBA)格子の設計において一般的に使用される。しかし,周期的格子単位セルにおいて,縦勾配ベンド(LGB)と逆曲がり(RB)を組み合わせることにより,中程度の集束特性における著しく低いエミッタンスを達成できる。しかし,LGBS単独では利得が制限される。一般的枠組みにおけるセル位相前進の関数として異なる単位胞クラスに対して達成可能なエミッタンスを調べた。すなわち,特定のセル光学に関する最小の仮定を持つ。それぞれの事例を現実的な格子セルの実例により説明し,最終的にSwiss光源のアップグレードのためのベースライン格子のLGB/T単位格子を導いた。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
光デバイス一般  ,  加速器一般及び理論 

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