文献

J-GLOBAL ID：201902265124505602   整理番号：19A1409915

官能化酸化ニッケル正孔接触層:仕事関数対伝導率【JST・京大機械翻訳】

Functionalized Nickel Oxide Hole Contact Layers: Work Function versus Conductivity

著者 (30件)： Hietzschold Sebastian (InnovationLab, Germany) ,  Hietzschold Sebastian (Institute for High-Frequency Technology, TU Braunschweig, Germany) ,  Hietzschold Sebastian (Kirchhoff-Institute for Physics, Heidelberg University, Germany) ,  Hillebrandt Sabina (InnovationLab, Germany) ,  Hillebrandt Sabina (Kirchhoff-Institute for Physics, Heidelberg University, Germany) ,  Ullrich Florian (InnovationLab, Germany) ,  Ullrich Florian (Surface Science Division, TU Darmstadt, Germany) ,  Bombsch Jakob (InnovationLab, Germany) ,  Bombsch Jakob (Kirchhoff-Institute for Physics, Heidelberg University, Germany) ,  Rohnacher Valentina (InnovationLab, Germany) ,  Rohnacher Valentina (Kirchhoff-Institute for Physics, Heidelberg University, Germany) ,  Ma Shuangying (InnovationLab, Germany) ,  Ma Shuangying (Institute for Theoretical Chemistry, University of Stuttgart, Germany) ,  Liu Wenlan (InnovationLab, Germany) ,  Liu Wenlan (Institute for Theoretical Chemistry, University of Stuttgart, Germany) ,  Koehn Andreas (InnovationLab, Germany) ,  Koehn Andreas (Institute for Theoretical Chemistry, University of Stuttgart, Germany) ,  Jaegermann Wolfram (InnovationLab, Germany) ,  Jaegermann Wolfram (Surface Science Division, TU Darmstadt, Germany) ,  Pucci Annemarie (InnovationLab, Germany) ,  Pucci Annemarie (Kirchhoff-Institute for Physics, Heidelberg University, Germany) ,  Pucci Annemarie (Centre for Advanced Materials, Heidelberg University, Germany) ,  Kowalsky Wolfgang (InnovationLab, Germany) ,  Kowalsky Wolfgang (Institute for High-Frequency Technology, TU Braunschweig, Germany) ,  Mankel Eric (InnovationLab, Germany) ,  Mankel Eric (Surface Science Division, TU Darmstadt, Germany) ,  Beck Sebastian (InnovationLab, Germany) ,  Beck Sebastian (Kirchhoff-Institute for Physics, Heidelberg University, Germany) ,  Lovrincic Robert (InnovationLab, Germany) ,  Lovrincic Robert (Institute for High-Frequency Technology, TU Braunschweig, Germany)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 45  ページ： 39821-39829  発行年： 2017年11月15日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ニッケル(NiO)は光電子デバイスにおける効率的な正孔抽出のための広く使用されている材料である。しかし,その表面特性は処理履歴と吸着質への曝露に強く依存する。溶液処理した酸化ニッケル(SNIO)の電子的および化学的性質の制御性を達成するために,4-シアノフェニルホスホン酸の自己集合単分子層(SAM)でその表面を官能化した。赤外および光電子分光法の詳細な解析により,分子の化学吸着が約1単分子層の公称層厚をもつことを示し,SAMの化学組成への洞察を与えた。密度汎関数理論計算は可能な結合配置を明らかにした。SAMの応用により,SNIO仕事関数を0.8eVまで増加させた。有機太陽電池に組み込まれると,仕事関数の増加とドナーへのエネルギーレベルの改善は,これらのセルのより高い充填因子をもたらさない。代わりに,酸化銅によるドーピングによりSNIOの伝導率を増加させることにより還元できる輸送障壁の形成を観測した。活性材料中のエネルギー準位と酸化物電荷抽出層の仕事関数を整合させるだけで,充填因子を最大化する広範な仮定は,あまりに狭い方法であると結論した。界面改質剤の成功裏の実現は,界面を横切る効率的な電荷移動を支持するために,酸化物中間層における十分に高い電荷キャリア濃度でのみ可能である。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 太陽電池 ,  単分子層 ,  電荷移動 ,  界面 ,  ドーピング ,  電荷 ,  *酸化ニッケル ,  *仕事関数 ,  *官能化 ,  密度汎関数法 ,  赤外線 ,  ドナー ,  *正孔
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  有機太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 金属酸化物 ,  自己集合単分子層 ,  ハイブリッド界面 ,  太陽電池 ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 官能化 ,  酸化ニッケル ,  正孔 ,  接触層 ,  仕事関数 ,  伝導率