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J-GLOBAL ID：201902265281470960   整理番号：19A1433514

酸化グラフェン正孔輸送層に基づくペロブスカイト太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Perovskite Solar Cells Based on Graphene Oxide Hole Transport Layer

著者 (7件)： Wang Yunxiang (電子科技大学 電子科学与工程学院,成都 610054;電子科技大学中山学院 電子薄膜与集成器件国家重点実験室中山分実験室,广東 中山 528400) ,  Zhang Jihua (電子科技大学 電子科学与工程学院,成都,610054) ,  Wu Yanhua (電子科技大学 電子科学与工程学院,成都 610054;電子科技大学中山学院 電子薄膜与集成器件国家重点実験室中山分実験室,广東 中山 528400) ,  Wang Honghang (電子科技大学中山学院 電子薄膜与集成器件国家重点実験室中山分実験室,广東 中山,528400) ,  Yi Zichuan (電子科技大学中山学院 電子薄膜与集成器件国家重点実験室中山分実験室,广東 中山,528400) ,  Zhang Xiaowen (桂林電子科技大学 广西信息材料重点実験室,广西 桂林,541004) ,  Liu Liming (電子科技大学中山学院 電子薄膜与集成器件国家重点実験室中山分実験室,广東 中山,528400)
資料名： Guangzi Xuebao  (Guangzi Xuebao)
巻： 48  号： 3  ページ： 59-65  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1500A  ISSN： 1004-4213  CODEN： GUXUED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： グラフェンオキシド(GO)を,平面ヘテロ接合型ペロブスカイト電池に溶液スピンコーティングにより導入し,GO,およびGOを調製した。(PEDOT:PSS)複合膜とGO/PEDOT;PSS二重層薄膜は正孔輸送層の電池として、その光電変換効率はそれぞれ1.86%、7.35%、7.69%であり、PEDOTに基づく。PSS正孔輸送層の効率は7.38%であった。主な原因はGOの絶縁性であり、陽極界面層として、GO薄膜の厚さが増加するにつれ、デバイスの直列抵抗が増大し、電池の短絡電流と効率を低下させる。GOの導電性を改善し、その仕事関数を改善するために、GOのアミノ化修飾後にPEDOT:PSSと組合せてダブル正孔輸送層を構成し、得られた電池は7.69%の高い効率を得て、この方法がGOがペロブスカイト電池正孔輸送層の有効な方法であることを示した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  複合膜 ,  導電性 ,  アノード ,  ポリエチレンジオキシチオフェン ,  仕事関数 ,  スピンコーティング ,  短絡電流 ,  アミノ化 ,  *電池 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： 光電変換効率 ,  二重層 ,  *正孔輸送層 ,  *酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化グラフェン ,  正孔輸送層 ,  ペロブスカイト太陽電池