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J-GLOBAL ID:201902265489633829   整理番号:19A0645884

GaP-ZnS固溶体の混合熱力学と光触媒特性【JST・京大機械翻訳】

Mixing Thermodynamics and Photocatalytic Properties of GaP-ZnS solid solutions
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: e1800146  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2665A  ISSN: 2513-0390  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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固溶体の調製は半導体系材料の光触媒特性を改善する有効な手段である。それにもかかわらず,材料の機能的性質に及ぼすサイト占有障害の影響は予測が困難であり,結果的に多くの実験的試験が強化された光触媒活性を達成する前に必要とされる可能性がある。ここでは,第一原理法を用いて,(GaP)_x(ZnS)[数式:原文を参照]固溶体の混合自由エネルギーと構造および電子特性を推定した。この方法は,自由エネルギーへの配置と振動の寄与を考慮した多配置スーパーセルアプローチに基づいている。閃亜鉛鉱型とウルツ鉱型多形の間の相競合も考慮した。利用可能な実験データと全体的に優れた一致を示した。1)閃亜鉛鉱はエネルギー的に最も好ましく,2)固溶体エネルギーバンドギャップは2~3eV範囲内にあり,3)固溶体のエネルギーバンドギャップは組成[数式:原文を参照]%に対して直接的である。周囲条件において,[数式:原文を参照],50%および75%の(GaP)_x(ZnS)[数式:原文を参照]固溶体は,真空に対するそれらの好ましいエネルギーバンドギャップおよびバンドレベルのために,可視光下での水分解のための有望な水素発生光触媒を与えることが分かった。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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光化学一般  ,  半導体結晶の電子構造 
タイトルに関連する用語 (5件):
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