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J-GLOBAL ID:201902265592131434   整理番号:19A1452917

その空間配置の改善によるインドロ[3,2-b]カルバゾールドーパントを含まない正孔輸送材料によるペロブスカイト太陽電池の17.7%への電力変換効率の向上【JST・京大機械翻訳】

Boosting the power conversion efficiency of perovskite solar cells to 17.7% with an indolo[3,2-b]carbazole dopant-free hole transporting material by improving its spatial configuration
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資料名:
巻:号: 24  ページ: 14835-14841  発行年: 2019年 
JST資料番号: W0204B  ISSN: 2050-7488  CODEN: JMCAET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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高い効率を有する容易に合成された無ドープの正孔輸送材料(HTMs)の開発は,ペロブスカイト太陽電池(PSC)の潜在的応用のために非常に重要である。ここでは,高価な触媒,すなわちC201とC202を用いることなく,高収率で3段階反応により得られた2つの新しいインドロ[3,2-b]カルバゾール(ICZ)ベースの小分子を報告する。C201と比較して,C202はその空間配置を改善するために2つの付加的なビフェニルアミノ基を含んでいる。分子幾何学と凝集挙動の間の相互作用は,膜形成特性に大きな影響を及ぼし,素子性能に影響を及ぼすことが分かった。注目すべきことに,HTMとしてC202を用いたチャンピオン素子は17.7%までのはるかに高いPCEをもたらし,100mWcm-2照射(AM1.5G)下でC201(8.7%)を含む素子よりも実質的に高い。C202キャッピング層は,C201のそれと比較して,より均一で均一な表面形態を示し,電荷再結合損失を効果的に減少させ,電荷抽出を容易にし,ムチン増強光起電力性能をもたらすことを明らかにした。これは,PSCにおける無ドープHTMsとしてのICZコアベース小分子の最初の例である。さらに,HTMとしてのC202を含むPSCは,ドープしたスピロ-OMeTADを有する素子と比較して,周囲条件(40%RH)下で良好な長期安定性を示した。これは,ペロブスカイト膜の破壊から水分を防止するC202の疎水性に起因した。本研究は,PSCと他のオプトエレクトロニクスデバイスのための費用対効果が高く安定なHTMsを開発するための新しい道を提供する。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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太陽電池 
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