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J-GLOBAL ID:201902265825755426   整理番号:19A2206647

熱応力の放出のための高分子-セラミック変換反応中の柔軟なカーボンナノチューブ相互接続の直接成長【JST・京大機械翻訳】

Direct growth of flexible carbon nanotube interconnects during polymer-ceramic conversion reaction for release of thermal stress
著者 (6件):
資料名:
巻: 153  ページ: 21-31  発行年: 2019年 
JST資料番号: H0270B  ISSN: 0008-6223  CODEN: CRBNA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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新しい超高温半導体材料のクラスである高分子由来セラミックは,半導体-金属相互接続になると直面する。2つの材料の熱膨張係数の不整合による超高温応用(>1000°C)中の半導体-金属界面で生じた高い熱応力は,半導体-金属相互接続の機械的破壊に容易に導くことができる。ここでは,高分子-セラミック変換反応によるSiCN自身の合成中にNi合金ワイヤ上にCNTを直接成長させることにより,Ni合金(Ni95AlSiMn)ワイヤからSiCN半導体に柔軟なカーボンナノチューブ(CNT)相互接続を形成した。CNTの成長に必要な触媒Niナノ粒子とガス状炭素源を,高分子-セラミック変換反応の間に発生させた。柔軟なCNT相互接続は優れた電気特性と優れた界面強度を示した。さらに,SiCNの抵抗の温度依存性は,熱応力が柔軟なCNT相互接続によって容易に放出されるので,著しい機械的破壊や界面強度の減少なしに1000°Cまでの温度で測定できた。このように,優れた電気的,熱的および熱機械的性質を有する作製したCNT相互接続は,種々の超高温応用に非常に適している。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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炭素とその化合物 

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