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J-GLOBAL ID：201902266181581458   整理番号：19A2162381

原子層堆積により作製したAl_2O_3を持つAlGaN/GaN MIS-HEMT構造のElectron-スピン共鳴研究【JST・京大機械翻訳】

Electron-spin-resonance studies of AlGaN/GaN MIS-HEMT structures with Al₂O₃ fabricated by atomic layer deposition

著者 (2件)： Kubo Toshiharu (Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Egawa Takashi (Research Center for Nano Devices and Advanced Materials, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 571  ページ： 210-212  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si上のAl_2O_3/AlGaN/GaN MIS-HEMT構造における絶縁体/半導体界面周辺のダングリングボンド(DB)に関連する欠陥の電子スピン共鳴(ESR)研究を行った。Al_2O_3層を原子層堆積により作製し,Al_2O_3層の厚さと堆積後アニーリング(PDA)温度がDB(N_db)の数に及ぼす影響を調べた。AlGaN/GaN HEMT構造のN_dbは,10nm厚のAl_2O_3層の堆積によって減少した。5nm厚のAl_2O_3/AlGaN界面におけるN_db値は,500°CでPDAにより最小値に減少した。ALD-Al_2O_3/AlGaN界面周辺のDBに関連する欠陥は,ALD-Al_2O_3の厚さとPDA温度を最適化することにより低減できることを示した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *HEMT ,  *磁気共鳴 ,  ダングリングボンド ,  アルミニウム ,  絶縁体 ,  焼なまし ,  界面 ,  半導体 ,  最適化 ,  ESR【磁気共鳴】 ,  ケイ素 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： GaN ,  HEMT ,  MIS ,  ALD ,  Al_2O_3 ,  ESR

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： 原子層堆積 ,  作製 ,  AlGaN ,  GaN ,  MIS ,  HEMT ,  スピン共鳴 ,  研究