文献
J-GLOBAL ID:201902266183733772   整理番号:19A2617677

垂直混合厚n-RES_2/p-Siヘテロ接合フォトダイオードにおける量子効率の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Quantum Efficiency in Vertical Mixed-Thickness n-ReS2/p-Si Heterojunction Photodiodes
著者 (7件):
資料名:
巻:号:ページ: 2277-2286  発行年: 2019年 
JST資料番号: W5045A  ISSN: 2330-4022  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
光センシング応用のための垂直van der Waals n-p接合に基づいて,数層,多層,および混合厚さのレニウム二硫化物(ReS_2)を作製した。p+2Si基板上へのRES_2フレーク堆積は,整流特性を持つn-pヘテロ接合の形成と逆バイアス下での良好な光検出能をもたらした。Siヘテロ接合を有する薄いReS_2層は,高速応答で弱い光検出性能を示したが,厚い多層ReS_2/Siは光電流の改善を示したが,応答時間の全体的劣化を示した。応答性と速度の間のトレードオフを克服するために,混合厚みReS_2/Siを製作した。このヘテロ接合は短い応答時間と高い量子効率で最良の光応答を示すことが分かった。80μsの高速動作において~33.47A/Wの高い光応答性(3Vで)を記録した。これにより,高い応答性をもつシリコンフォトダイオードを用いて,最も速く報告された遷移金属ジカルコゲニドの一つを作製した。混合厚さの厚さに依存しない直接バンドギャップReS_2によるSiのヘテロ界面は,光生成キャリア捕獲に関連するより多くの利得を可能にし,観測された高い光応答性と高速(μs)応答をもたらした。本研究は,ReS_2に基づくn-p接合の異なる厚さの混合物が,オプトエレクトロニクスとセンサ応用における光応答性と速度の改善をもたらすことを実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (6件):
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体プラズマ 

前のページに戻る