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J-GLOBAL ID：201902266187742719   整理番号：19A2749565

エピタキシャルNbN薄膜における超伝導ゆらぎを介してプローブした異常電子非弾性散乱速度【JST・京大機械翻訳】

Anomalous electron inelastic scattering rate probed via superconducting fluctuation in epitaxial NbN thin films

著者 (5件)： Shinozaki B. (Department of Physics, Kyushu University, 744, Motooka, Nishi-ku, Fukuoka, 819-0395, Japan) ,  Ezaki S. (National Astronomical Observatory of Japan, 2-21-1 Osawa, Mitaka, Tokyo 181-8588, Japan) ,  Odou T. (Department of Physics, Kyushu University, 744, Motooka, Nishi-ku, Fukuoka, 819-0395, Japan) ,  Asano T. (Department of Applied Physics, University of Fukui, Fukui 910-8507, Japan) ,  Makise K. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名： Physica C. Superconductivity and Its Applications  (Physica C. Superconductivity and Its Applications)
巻： 567  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： T0580A  ISSN： 0921-4534  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超伝導転移温度T_c以上の温度での常伝導状態シートコンダクタンスσ~Nの種々の値に対する超伝導NbN薄膜の輸送特性を調べた。磁気コンダクタンスΔσ(T,H)データの磁場依存性を主に,Aslamazov-LarkinΔσ_AL(T,H,D)及びMaki-ThompsonΔσ_MT(T,H,D,τ_in)超伝導ゆらぎ項,及び電子局在化Δσ_L(T,H,Dτ_in)項による理論式を用いて解析した。ここで,Dは拡散定数であり,τ_(T)は電子非弾性散乱時間である。(1)Δσ(T,H)データは広い温度と磁場範囲に対する理論により説明され,τ_in(T)と温度独立Dはフィッティングパラメータとして,(2)T_c近傍の温度での速度1/τ_(T)は理論に基づく値からV形と共に異常に減少する。この理論は,3つの支配的項1/τ_fluc(T),1/τe-e(T)および1/τe-ph(T)の和によって与えられるU形状による段階的な温度依存性を示し,これらの項は超伝導ゆらぎ,電子-電子散乱および電子-フォノン散乱機構に対応する。実験データと理論の間の矛盾は,状態密度の補正による速度1/τ_in(T)への付加的な量子寄与の存在を示唆する。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *超伝導 ,  拡散係数 ,  パラメータ ,  *プローブ ,  *非弾性散乱 ,  常伝導 ,  温度依存性 ,  *エピタクシー ,  状態密度 ,  *薄膜 ,  磁場
準シソーラス用語： 局在化 ,  磁場依存性 ,  輸送特性 ,  *超伝導ゆらぎ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 超伝導体の物性一般  (BM04021A) ,  酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (8件)： エピタキシャル ,  NbN ,  薄膜 ,  超伝導ゆらぎ ,  プローブ ,  電子 ,  非弾性 ,  散乱速度