文献

J-GLOBAL ID：201902266190725339   整理番号：19A1415849

モンテカルロ計算と組み合わせた有限要素法による薄膜強誘電体ナノキャパシタ配列におけるクロストーク現象のモデリング【JST・京大機械翻訳】

Modeling of cross-talk phenomena in thin film ferroelectric nanocapacitor arrays by finite element method combined with Monte Carlo calculations

著者 (2件)： Padurariu Leontin (Dielectrics, Ferroelectrics and Multiferroics Group, Department of Physics, Al. I. Cuza University of Iasi, 11 Bv. Carol I, 700506 Iasi, Romania) ,  Mitoseriu Liliana (Dielectrics, Ferroelectrics and Multiferroics Group, Department of Physics, Al. I. Cuza University of Iasi, 11 Bv. Carol I, 700506 Iasi, Romania)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 14  ページ： 144106-144106-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここ数年,1Tb/inに近い高い記録密度をもつ強誘電体系の開発への関心が強く増加している。強誘電体薄膜を,強誘電活性材料を含むナノキャパシタ(直径~70nm)を用いて印加した電場にかけた。メモリ密度を増加させるために,ナノキャパシタ寸法とそれらの間の距離を強く減少させなければならない。しかし,ナノ電極間の横方向距離が非常に小さくなると,ナノキャパシタから隣接コンデンサへの磁壁伝搬(いわゆるクロストーク)が観測される。この現象はメモリ空間分解能が影響されるため望ましくない。本論文では,局所スイッチング特性を記述するためにモンテカルロモデルを用いた有限要素法の組合せにより,幾何学的特性(電極半径,電極間の横方向距離および膜厚さ)の役割を調べた。電気ポテンシャルと局所場の分布を有限要素法を用いて計算し,強誘電ナノキャパシタ系における「クロストーク」現象の出現条件を記述した後,それを避けるためのいくつかの価値ある解を示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 空間分解能 ,  *モデリング ,  *薄膜 ,  *強誘電体 ,  *コンデンサ ,  *モンテカルロ法 ,  *有限要素法 ,  記録密度 ,  電位 ,  *クロストーク ,  電場 ,  記憶装置
準シソーラス用語： 局所場 ,  ナノ電極 ,  強誘電体薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： モンテカルロ計算 ,  有限要素法 ,  薄膜 ,  強誘電体 ,  キャパシタ ,  クロストーク ,  現象 ,  モデリング