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J-GLOBAL ID：201902266260864529   整理番号：19A1415043

置換型Taドーピングによる固有p型Wベース遷移金属ジカルコゲナイド【JST・京大機械翻訳】

Intrinsic p-type W-based transition metal dichalcogenide by substitutional Ta-doping

著者 (13件)： Fu Yajun (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Long Mingsheng (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Gao Anyuan (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Wang Yu (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Pan Chen (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Liu Xiaowei (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Zeng Junwen (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Xu Kang (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Zhang Lili (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Liu Erfu (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Hu Weida (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Wang Xiaomu (School of Electronic Science and Technology, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Miao Feng (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 4  ページ： 043502-043502-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)遷移金属ジカルコゲニド(TMD)は,将来のエレクトロニクスとオプトエレクトロニクスの有望な候補として最近出現した。ほとんどのTMDは,カルコゲン空格子点から生じる電子供与に起因する真性n型半導体であるが,固有の高品質p型半導体TMDを得ることは困難である。ここでは,置換型Taドーピングによる真性p型タングステン(W)ベースTMDを得るための実験的アプローチを報告する。得られた数層TaドープWSe_2(Ta_0.01W_0.99Se_2)電界効果トランジスタ素子は,室温で約10~6電流/オフを含む競争的p型性能を示した。また,Ta_0.01W_0.99Se_2/MoS_2構造に基づく高品質van der Waals(vdW)p-nヘテロ接合を実証し,理想的ダイオード特性(理想因子が1に近づき,整流比が1×10~5まで)と優れた光検出性能を示した。著者らの研究は,置換型Taドーピングが将来の電子およびフォトニック応用のための固有のp型WベースTMDを実現するのに非常に有望であることを示唆している。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  ヘテロ接合 ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  FET【トランジスタ】 ,  *タンタル ,  *ドーピング ,  酸素族元素 ,  電子技術 ,  N型半導体 ,  空格子点 ,  半導体
準シソーラス用語： 整流比 ,  理想因子 ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 置換 ,  Ta ,  ドーピング ,  固有 ,  遷移金属ジカルコゲナイド