弾性表面波によるSiO<sub>2</sub>薄膜のヤング率の決定に及ぼす残留応力の影響

QIN Huiquan; XIAO Xia; SUI Xiaole; QI Haiyang

文献

J-GLOBAL ID：201902266349453126 整理番号：19A2073009

弾性表面波によるSiO₂薄膜のヤング率の決定に及ぼす残留応力の影響

Influence of residual stress on the determination of Young’s modulus for SiO₂ thin film by the surface acoustic waves

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資料名：
巻： 58 号： SH ページ： SHHG01.1-SHHG01.6 発行年： 2019年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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酸化物薄膜 , 固体の機械的性質一般

引用文献 (30件)：

G. Chow, E. Uchaker, G. Cao, and J. Wang, Mech. Mater. 91, 333 (2015).
X. Xiao, X. Shan, B. Y. Kayaba, K. Kohmura, H. Tanaka, and T. Kikkawa, Microelectron. Eng. 88, 666 (2011).
X. Xiao, Y. Tao, and Y. Sun, Chin. Phys. B 23, 106803 (2014).
X. Shan, X. Xiao, and Y. Liu, Adv. Sci. Lett. Nanos 4, 1230 (2011).
X. Xiao, Y. Sun, and X. Shan, Surf. Coat. Technol. 207, 240 (2012).

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