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文献
J-GLOBAL ID:201902266515755799   整理番号:19A2344448

誘電体アシスト加速構造の電力効率向上【JST・京大機械翻訳】

Power efficiency enhancement of dielectric assist accelerating structure
著者 (12件):
資料名:
巻: 459  ページ: 148-152  発行年: 2019年 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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室温で非常に高いQ値とシャントインピーダンスを持つ誘電アシスト加速(DAA)構造は,一種の誘電負荷加速構造である。高純度マグネシアセラミックを用いたプロトタイプDAA構造の開発に焦点を合わせた以前の研究は,構造の無負荷品質因子(Q_0)が119,314であり,単位長さ当たりのシャントインピーダンス(Z_sh)が室温で617MΩ/mであることを示した。プロトタイプで得られたものより高い加速効率を持つDAA構造を実現するために,二次元(2D)DAA構造モデルの解析計算と低温で動作するDAA構造の有用性に基づく最適誘電材料の選択を調べた。2D-DAA構造の分析計算は,Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O_3-Ba(Mg_1/2W_1/2)O_3(BMT-BMW)セラミックが,最小のrf損失を有するので,DAA構造のための最適誘電材料であることを示した。BMT-BMWセラミックによる5セルCバンド(5.712GHz)DAA構造のシミュレーションにより,加速モードのQ_0が120,000以上であり,Z_shが室温で850MΩ/mを超えることを示した。27Kの極低温で動作するDAA構造に対して,高純度マグネシアセラミックと無酸素高伝導度銅から成るDAA構造のQ_0とZ_shを,それぞれ765000と3.8GΩ/m以上のシミュレーションによって推定した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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その他の物質の放射線による構造と物性の変化 
タイトルに関連する用語 (4件):
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