VZRAS及びVZrSbハーフホイスラー化合物及びAl_1-xM_xAs(M=Co,Fe及びx=0.0625,0.125,0.25)希薄磁性半導体の半金属強磁性結果に関する第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

OEzdemir Evren G.; OEzdemir Evren G.; Merdan Ziya

文献

J-GLOBAL ID：201902266529349854 整理番号：19A2162539

VZRAS及びVZrSbハーフホイスラー化合物及びAl_1-xM_xAs(M=Co,Fe及びx=0.0625,0.125,0.25)希薄磁性半導体の半金属強磁性結果に関する第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

First-principles calculations on half-metal ferromagnetic results of VZrAs and VZrSb half-heusler compounds and Al_1-xM_xAs (M= Co, Fe and x = 0.0625, 0.125, 0.25) diluted magnetic semiconductors

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資料名：
巻： 807 ページ： Null 発行年： 2019年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

VZrAs,VZrSb半ホイスラー化合物及びAl_1-xFe_xAs(x=0.0625,0.125,0.25)希釈磁性半導体(DMSs)の構造,電子,半金属及び弾性特性に関する理論計算をWIEN2kを用いて調べた。Al_1-xFe_xAsとAl_1-xCo_xAs(x=0.0625,0.125,0.25)DMSsにおいて,強磁性相は非磁性相と反強磁性相より安定である。VZr(As,Sb)化合物では,タイプII構造の強磁性(FM)相はより安定である。両方の半ホイスラー化合物のスピンアップ電子は0.643と0.799eVのエネルギーギャップを持つ半導体的性質を持ち,一方,Al_0.875Fe_0.125As,Al_0.9375Fe_0.0625AsとAl_1-xCo_xAs(x=0.0625,0.125,0.25)DMSsのスピンダウン電子は半導体的特徴を持つ。機械的安定性条件は,VZrAs半ホイスラー化合物を除いて,すべての化合物によって提供される。従って,VZrSb,Al_1-xFe_xAsおよびAl_1-xCo_xAs(x=0.0625,0.125,0.25)希釈磁性半導体(DMS)は変形に対して機械的に安定である。VZrAs化合物は,それがC_11>C_12機械的安定性条件を提供しないので,実験プロセスにおいて変形することができた。多結晶材料の延性または脆性の条件によると,VZrAsとVZrSb半金属化合物は延性材料であるが,Al_1-xFe_xAsとAl_1-xCo_xAs(x=0.0625,0.125,0.25)DMSsは脆性である。最後に,VZr(As,Sb),Al_1-xCo_xAs(x=0.0625,0.125,0.25)およびAl_1-xFe_xAs(x=0.0625,0.125)化合物を,4.00,2.00および5.00μ_B/f.uの範囲内で,真の半金属強磁性材料(HMF)を得た。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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金属結晶の電子構造 , 金属の結晶構造 , 金属結晶の磁性 , 電気的性質

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