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J-GLOBAL ID：201902266669604698   整理番号：19A0592524

ナノ加工を適用した石英テンプレート中に埋め込まれた個々のビスマス線の同時輸送係数測定

Simultaneous transport coefficient measurements for an individual bismuth wire embedded in a quartz template applying nano-fabrication

著者 (5件)： MORITA Hiroyuki (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  MORITA Hiroyuki (SAITEC, Kawaguchi, JPN) ,  ARISAKA Taichi (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  OTSUKA Mioko (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  HASEGAWA Yasuhiro (Saitama Univ., Saitama, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 12  号： 1  ページ： 011008.1-011008.4  発行年： 2019年01月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 石英テンプレートに埋め込まれた個々のビスマスワイヤ(直径1.90μm,長さ1554μm)を用いて,300Kでの抵抗率,磁気抵抗率,Hall係数,Seebeck係数の同時輸送係数測定を実証した。これらの測定を実施するために,二重ビーム集束イオンビーム装置を用いてナノ加工を行い,ワイヤの六辺と二端位置に局所電極を作製した。さらに,測定値を用いて,キャリア密度,移動度,およびFermiエネルギーを推定した。得られた物理的性質は,その大きな直径のために,予想されたように,バルクビスマスと類似していた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノメータ加工 ,  *石英 ,  *型枠 ,  *ビスマス ,  *輸送係数 ,  *金属線 ,  電気抵抗率 ,  磁気抵抗 ,  係数 ,  集束イオンビーム ,  キャリア密度 ,  移動度 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： ナノ加工 ,  *テンプレート【型板】 ,  *ワイヤ ,  Hall係数 ,  Seebeck係数 ,  Fermiエネルギー

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (23件)：

• G. S. Nolas, J. Sharp, and J. Goldsmid, Thermoelectrics: Basic Principles and New Materials Developments (Springer, Berlin, 2001).
• L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 47, 12727 (1993).
• L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 47, 16631 (1993).
• Y.-M. Lin, S. B. Cronin, J. Y. Ying, M. S. Dresselhaus, and J. P. Heremans, Appl. Phys. Lett. 76, 3944 (2000).
• Y.-M. Lin, X. Sun, and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 62, 4610 (2000).

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノ加工 ,  石英 ,  テンプレート ,  ビスマス ,  輸送係数