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J-GLOBAL ID：201902266748795118   整理番号：19A1453110

二金属触媒とGaO_x誘電体を用いた金属-酸化物-半導体ダイオードの水素検出特性【JST・京大機械翻訳】

Hydrogen Sensing Characteristics of a Metal-Oxide-Semiconductor Diode With Bimetallic Catalysts and a GaO_x Dielectric

著者 (2件)： Chen Hong-Yu (Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, National Cheng-Kung University, Tainan, Taiwan) ,  Liu Wen-Chau (Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, National Cheng-Kung University, Tainan, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 66  号： 7  ページ： 3144-3150  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二金属触媒とGaO_x誘電体を有する新しい金属-酸化物-半導体(MOS)ダイオードをここで用いて水素センサを作製した。Ptナノ粒子(NPs)とPd薄膜を含む二金属触媒を適切な真空熱蒸着(VTE)法により形成し,GaO_x誘電体をGaN表面上のH2O_2処理により作製した。この二金属構造の存在は,表面積対体積比を効果的に増加させ,「スピルオーバー」効果をもたらすことができる。これは,水素分子と原子の解離と吸着を実質的に強化することができる。GaO_x誘電体の使用は,表面漏れ電流を効果的に抑制し,水素原子の吸着サイトを増加させる。実験的に,非常に低い検出レベル(≦100ppb H_2/空気),広い水素濃度検出範囲,および比較的速い検出速度を得た。熱力学解析から,研究した装置の水素吸着は発熱反応であることが明らかになった。従って,上記の利点に基づいて,研究したPt NP/Pd薄膜/GaO_x/GaN系MOSダイオードは,高性能水素センシング応用に有望であることを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スピルオーバ ,  *半導体 ,  漏れ電流 ,  *酸化物 ,  *誘電体 ,  窒化ガリウム ,  表面積 ,  パラジウム ,  *水素 ,  発熱反応 ,  薄膜
準シソーラス用語： 吸着サイト ,  白金ナノ粒子 ,  水素センサ ,  *二金属触媒 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二金属触媒 ,  誘電体 ,  酸化物 ,  半導体ダイオード ,  水素