文献

J-GLOBAL ID：201902266957582354   整理番号：19A0527721

HVDCケーブル付属品における界面電荷に及ぼす非線形伝導率の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of nonlinear conductivity on interface charge in HVDC cable accessories

著者 (7件)： Zhang Cheng (School of Electrical and Information Engineering, Tianjin University) ,  Du Boxue (School of Electrical and Information Engineering, Tianjin University) ,  Li Jin (School of Electrical and Information Engineering, Tianjin University) ,  Liang Hucheng (School of Electrical and Information Engineering, Tianjin University) ,  Li Zhonglei (School of Electrical and Information Engineering, Tianjin University) ,  Xing Yunqi (School of Electrical Engineering, Hebei University of Technology) ,  Gao Yu (School of Electrical and Information Engineering, Tianjin University)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISEIM  ページ： 617-620  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面電荷は,絶縁システムの加速劣化を引き起こす可能性がある,種々の特性を有する2つの異なる誘電体の間に蓄積するのが容易である。エチレン-プロピレン-ジエン三元共重合体(EPDM)は主にHVDCケーブル継手に使用され,それは界面のためにケーブルシステムの最も脆弱な部分である。非線形伝導率を有する粒子は,複合応力下で伝導率を変化させることにより,界面電荷挙動を修正するために,高分子マトリックス中にドープすることができる。本論文では,炭化ケイ素(SiC)粒子をそれぞれ0,10%,30%および50wt%のEPDMに分散させた。SiC粒子を充填したLDPEとEPDMの間の界面における空間電荷挙動を15kV/mmの下で測定した。誘電率はフィルグレードと共に増加し,dc伝導率は種々の電場下で明らかな非線形傾向を示した。SiCドーピングは界面電荷蓄積を効果的に抑制できる。抑制機構は非線形伝導率に起因する。結果として,近似的なSiCドープEPDMは,界面電荷蓄積を有効に抑制し,ケーブル付属性能の改善のための可能な方法を提供することができる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 低密度ポリエチレン ,  EPDM ,  *ケーブル ,  *界面 ,  空間電荷 ,  ドーピング ,  誘電率 ,  炭化ケイ素 ,  誘電体 ,  近似法 ,  組合せ応力 ,  電場
準シソーラス用語： *伝導率 ,  *非線形伝導 ,  *界面電荷 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： HVDC ,  ケーブル ,  付属品 ,  界面電荷 ,  非線形伝導