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J-GLOBAL ID:201902267050774255   整理番号:19A0365486

分子ビームエピタクシー成長中の熱曝露による酸化亜鉛膜の点欠陥発展,光学遷移および吸収端の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning the point-defect evolution, optical transitions, and absorption edge of zinc oxide film by thermal exposure during molecular beam epitaxy growth
著者 (6件):
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巻: 93  ページ: 50-58  発行年: 2019年 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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プラズマ支援分子線エピタクシーを用いて成長させたZnO膜の光学的性質を調べた。298,373および423Kの3つの異なる成長温度(T_成長)を用いた。XRDパターンと電界放出SEM画像は,T_成長増分がc軸歪と平均成長速度を直線的に増加させることを示した。光ルミネセンススペクトルは,298から373KへのT_成長増加がZn格子間化合物(Zn_i)によって促進される青紫色発光を誘発することを示した。また,少数のO格子間原子(O_i)によって促進される青色発光を観測した。しかし,このT_成長の増加は酸素アンチサイト(O_Zn)を著しく減少させ,酸素と亜鉛の空格子点(V_O,V_Zn)を除去する。著者らは,423KへのT_成長増加がO_iを強化して,Zn_iを除去して,Oリッチ条件を引き起こす優れた青色発光を誘発することを見つけた。特に,点欠陥は,T_成長=373および423Kに対する励起子-励起子散乱発光を抑制した。さらに,Kubelka-Munkスペクトルは,歪が自由励起子吸収端赤方偏移を引き起こすことを示した。この結果は,ZnO膜における点欠陥発生,青色発光および励起子吸収の顕著な熱依存性を強調した。本研究は,可変発光青色LEDにおけるZnOの応用の可能性を開いた。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  半導体のルミネセンス 

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