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J-GLOBAL ID：201902267129523117   整理番号：19A1888619

Au/MOS_2接触におけるバンド整列:剥離フレークの厚み依存性【JST・京大機械翻訳】

Band Alignment at Au/MoS₂ Contacts: Thickness Dependence of Exfoliated Flakes

著者 (10件)： Sohn Ahrum (Department of Physics, Ewha Womans University, Korea) ,  Sohn Ahrum (School of Advanced Materials Science & Engineering, Sungkyunkwan University, Korea) ,  Moon Hankyoul (Department of Physics, Ewha Womans University, Korea) ,  Kim Jayeong (Department of Physics, Ewha Womans University, Korea) ,  Seo Miri (Department of Physics, Ewha Womans University, Korea) ,  Min Kyung-Ah (Department of Physics and Graphene Research Institute, Sejong University, Korea) ,  Lee Sang Wook (Department of Physics, Ewha Womans University, Korea) ,  Yoon Seokhyun (Department of Physics, Ewha Womans University, Korea) ,  Hong Suklyun (Department of Physics and Graphene Research Institute, Sejong University, Korea) ,  Kim Dong-Wook (Department of Physics, Ewha Womans University, Korea)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 40  ページ： 22517-22522  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Kelvinプローブ力顕微鏡を用いて,裸およびAu被覆SiO_2/Si基板上の剥離MoS_2フレークの表面電位(V_surf)を調べた。MoS_2単層のV_surfは裸の基板上よりAu被覆基板上で大きかった。著者らの理論計算は,これがMoS_2/Au界面におけるより大きな電気双極子の形成によって引き起こされ,修飾されたバンド配列をもたらすことを示している。V_surfはフレークの厚さが増加するにつれて減少し,Au被覆基板上の裸と~80nm(~120層)上の厚さ~20nm(~30層)でバルク値に達するまで増加した。V_surfのこの厚さ依存性はMoS_2層における静電遮蔽に起因した。したがって,バルクV_surfが現れた厚さの差は,基礎となる基板がMoS_2フレークの電場遮蔽長に影響を及ぼすことを示唆している。本研究は,金属/MoS_2接触の電気的性質を理解し,制御するための重要な洞察を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 被覆 ,  基板 ,  *金 ,  静電遮蔽 ,  電気的性質 ,  表面電位 ,  界面 ,  *フレーク ,  電気双極子 ,  単一層 ,  電場
準シソーラス用語： 二層 ,  シリコンウエハ ,  *厚み依存性 ,  *バンドアライメント , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： Au ,  バンド整列 ,  フレーク ,  厚み依存性