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J-GLOBAL ID：201902267205641872   整理番号：19A0177098

共鳴Raman分光法により研究したインジウムヒ化物ナノ結晶におけるフォノン-プラズモン結合と活性Cuドーパント【JST・京大機械翻訳】

Phonon-Plasmon Coupling and Active Cu Dopants in Indium Arsenide Nanocrystals Studied by Resonance Raman Spectroscopy

著者 (3件)： Faust Adam (The Institute of Chemistry and the Center for Nanoscience and Nanotechnology, The Hebrew University of Jerusalem, Israel) ,  Amit Yorai (The Institute of Chemistry and the Center for Nanoscience and Nanotechnology, The Hebrew University of Jerusalem, Israel) ,  Banin Uri (The Institute of Chemistry and the Center for Nanoscience and Nanotechnology, The Hebrew University of Jerusalem, Israel)
資料名： Journal of Physical Chemistry Letters  (Journal of Physical Chemistry Letters)
巻： 8  号： 11  ページ： 2519-2525  発行年： 2017年 
JST資料番号： W3687A  ISSN： 1948-7185  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノ結晶のドーピングは,それらの特性を制御するための新しい手段であり,最近,不純物を特性化する手段として関心が高まっており,ナノ結晶の電子特性に及ぼすそれらの影響が進化している。ドーパント濃度の増加による異なるモードの相対散乱強度の変化を観測するCuドープInAsナノ結晶の温度依存Raman散乱研究を示した。最初に,縦光学(LO)フォノン倍音モードを抑制し,自由電子による遮蔽効果に関連する結合強度の弱化を示した。第二に,横光学(TO)モードはLOモードと比較して相対的に増強され,これはn型ドープバルクInAsの観測に類似した結合フォノン-プラズモンモードの出現に起因する。これらの特徴は,Cu不純物が活性ドーパントとして働き,重いドーピング限界に対して不純物に関連した擬サブバンドを占有することを示している。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *銅 ,  *フォノン ,  ヒ化インジウム ,  Raman散乱 ,  温度依存性 ,  不純物 ,  *インジウム ,  ドーピング ,  *ドーパント ,  キャラクタリゼーション ,  *ヒ化物 ,  倍音 ,  *ナノ結晶
準シソーラス用語： サブバンド ,  自由電子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  固体プラズマ  (BM02160W) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (10件)： 共鳴Raman分光法 ,  研究 ,  インジウム ,  ヒ化物 ,  ナノ結晶 ,  フォノン ,  プラズモン結合 ,  活性 ,  Cu ,  ドーパント