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J-GLOBAL ID：201902267229407714   整理番号：19A1467758

原子層からバルクへ SnTe膜の低温原子構造と強誘電および電子特性【JST・京大機械翻訳】

From an atomic layer to the bulk: Low-temperature atomistic structure and ferroelectric and electronic properties of SnTe films

著者 (15件)： Kaloni Thaneshwor P. (Department of Physics, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  Chang Kai (Max-Planck Institute of Microstructure Physics, Halle 06120, Germany) ,  Chang Kai (State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Chang Kai (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing 100084, China) ,  Miller Brandon J. (Department of Physics, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  Xue Qi-Kun (State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Xue Qi-Kun (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing 100084, China) ,  Chen Xi (State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Chen Xi (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing 100084, China) ,  Ji Shuai-Hua (State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Ji Shuai-Hua (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing 100084, China) ,  Ji Shuai-Hua (RIKEN Center for Emergent Matter Science, Wako, Saitama 351-0198, Japan) ,  Parkin Stuart S. P. (Max-Planck Institute of Microstructure Physics, Halle 06120, Germany) ,  Barraza-Lopez Salvador (Department of Physics, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  Barraza-Lopez Salvador (Institute of Nanoscale Science and Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 99  号： 13  ページ： 134108  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnTeホスト強誘電性は,その弱い非自明バンドトポロジーと競合する,その固有電気双極子が消光される高対称岩塩構造において,金属表面バンドを発達させるが,非ゼロ自発電気双極子をホストする斜方晶基底状態配置において,結晶対称性は低下し,表面電子バンドの存在は保証されない。ここでは,2~40原子層(ALs)の範囲のSnTe膜の強誘電結合のタイプと原子論的および電子構造を,原子層が徐々に添加された自立試料について調べた。4-AL SnTe膜は反強誘電的に結合しているが,より厚い自立SnTe膜は強誘電体的に結合している。電子バンドギャップは2から40ALsへの進行においてその大きさを減少させるが,それは構造の斜方晶性のために近くない。これらの結果は単層からバルクへのSnTe膜の構造を橋渡しする。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *低温 ,  対称性 ,  *原子構造 ,  電子構造 ,  電気双極子 ,  バンドギャップ ,  斜方晶系 ,  基底状態 ,  強誘電体 ,  強誘電性 ,  単一層 ,  岩塩
準シソーラス用語： 結晶対称性 ,  金属表面 ,  *原子層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  その他の超伝導体の物性  (BM04025Q) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子層 ,  バルク ,  SnTe ,  低温 ,  原子構造 ,  電子